三星计划于2025年推出新一代内存HBM4

三星电子日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。据韩媒，三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。

他透露，三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF（非导电粘合膜）组装技术和HCB（混合键合）技术，以应用于该产品。

此外，三星还计划提供尖端的定制交钥匙封装服务，公司今年年初为此成立了AVP(高级封装)业务团队，以加强尖端封装技术并最大限度地发挥业务部门之间的协同作用。

行业机构预测，2023年HBM需求量将年增58%，2024年有望再成长约30%。与传统DRAM相比，HBM具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度，更适用于ChatGPT等高性能计算场景，因而备受青睐，存储大厂也在积极推动HBM技术迭代。

虽然HBM4技术将有重大突破，但它的推出时间并不会很快，因此讨论其应用和普及还为时过早。业内人士指出，当前HBM市场主要以HBM2e为主，未来HBM3和HBM3e将成为主流。

据悉，HBM芯片是一种高带宽内存芯片，被广泛应用于高性能计算、数据中心、人工智能等领域。HBM芯片采用3D堆叠工艺，将多个DRAM芯片堆叠在一起，以实现更高的内存带宽和容量，同时减小了芯片面积，降低了功耗和成本。