三星、美光积极扩产HBM 紧跟AI大趋势

随着人工智能浪潮的兴起，市场对HBM技术的需求持续高涨，成为人们关注的焦点。全球市场研究公司集邦咨询预计，2023 年 HBM 需求将同比增长 58%，2024 年可能进一步增长约 30%。根据最新报告，三星和美光两家公司正在积极筹备扩大HBM DRAM产能。

为了扩大HBM产能，近日三星电子已收购三星显示（Samsung Display）天安厂区内部分建筑及设备，用于HBM生产。三星电子计划在天安厂建立一条新封装线，用于大规模生产HBM，投资额预计在7000亿-1万亿韩元之间，未来将生产HBM3、HBM3E等新一代产品。同时，三星正在投入8层、12层HBM3量产，并开始供应8层HBM3E样品。

据悉，三星在2023年第3季财报发布会上表示，目标2024年将HBM产能较2023年提升为2.5倍，其中HBM3的销售占比将于2024年上半达到50%以上。目前三星已与主要客户协商2024年供应事宜，第4季将随着客户扩大提高营收。

美光也在积极筹备 HBM 生产，于 11 月 6 日在台中开设了新工厂。美光表示，台中四厂将整合先进探测与封装测试功能，量产HBM3E及其他产品，从而满足人工智能、数据中心、边缘计算及云端等各类应用日益增长的需求。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露，美光计划于2024年初开始大量出货HBM3E。美光HBM3E目前正在进行英伟达认证。美光称一直在与英伟达密切合作，高频宽HBM3 Gen2产品有望2024年上半年在英伟达即将推出的芯片中亮相。首批HBM3E采用8-Hi设计，提供24GB容量和超过1.2TB/s频宽。公司计划于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆叠。

行业机构预测，2023 年主流需求将从 HBM2e 转向 HBM3，预计需求占比分别约为 50% 和 39%。随着更多基于 HBM3 的加速器芯片进入市场，需求将在 2024 年大幅转向 HBM3，超过 HBM2e，预计占据 60% 的市场份额。