三星低价挑战台积电 2nm争夺战打响
发布时间:2023-12-12 15:00:00 阅读量:433
据知情人士透露,台积电已经向其大客户苹果和英伟达等展示了N2(即2纳米)原型的制程工艺测试结果。三星也在积极推出2纳米原型,并采用低价策略吸引英伟达等客户。
台积电在制程工艺技术方面一直处于领先地位,此次展示2nm原型的制程工艺测试结果,无疑进一步巩固了其市场地位。据知情人士透露,这一原型是台积电为推动2nm制程工艺技术而进行的内部研发项目的一部分。目前,台积电正在与客户合作,以将这一新技术应用于实际产品中。
据悉,高通的下一代旗舰芯片将采用三星的“SF2”(2nm)工艺。作为去年全球第一家大规模生产 3nm (SF3) 芯片的公司,三星也是采用新型全环绕栅极 (GAA) 晶体管架构的先驱。
三星表示,“我们已经全面部署,可以在 2025 年大规模生产 SF2。由于我们是第一家进入并改造 GAA 架构的公司,我们希望从 SF3 到 SF2 的进展会比较顺利。”
不过业内人士透露,三星最基础的 3nm 芯片良率仅为 60%,远低于客户预期,此外还无法很好驾驭苹果 A17 Pro 或者英伟达 GPU 芯片方面,在复杂度上升之后,良率会进一步下降。
此外,市场调研公司的一项新的研究表明,三星芯片制造行业在世界上的份额在今年第三季度达到了15.5%,排在了世界第二位。虽然比台积电差了不少,但也排在了前五位,相当于联电公司、格芯公司和中芯公司的总和。
对于未来的市场动态,业内专家表示,随着制程工艺技术的不断发展,芯片生产将越来越依赖于技术创新和实力。在这方面,台积电和三星都拥有强大的研发实力和技术积累。因此,未来的市场竞争将更加激烈。
相关文章阅读
-
三星启动其首批第九代 V-NAND 闪存量产
2024-04-25
-
消息称三星和AMD签署价值4万亿韩元的HBM3E供货协议
2024-04-24
-
SK海力士与台积电携手开发HBM4 有望2026年投产
2024-04-19
-
消息称三星曾考虑在美国建10nm制程DRAM内存厂
2024-04-18
-
三星本季增产NAND闪存30% 年内产能规模设限
2024-04-17
-
三星10.7Gbps LPDDR5X内存 针对AI应用优化
2024-04-17
-
三星获美国至多64亿美元建厂补贴将生产2nm芯片
2024-04-16
-
SSD价格飙升 三星、SK海力士Q1预计实现盈利
2024-04-15