三星、SK海力士调高明年半导体投资和出货量目标

近日，三星2024年计划半导体设备投资额达到27万亿韩元，同比增长25%；SK海力士则计划投资5.3万亿韩元，同比增长100%。双方增加设备投资及产量的最主要原因，还是为了行业状况改善做准备。

存储芯片具体投资方向上，三星电子和SK海力士正准备投资以DDR5和HBM为主的设备；同时，前者计划大规模投资3nm和2nm等超精细工艺。

同时，两家公司也调高了明年的出货量，三星计划将DRAM和NAND产量分别扩大约24%，SK海力士计划将DRAM产量提高到去年年底前的水平。

此前，三星与SK海力士开始大幅减产，彼时工厂开工率甚至低至50%。而新的一年，这两家存储巨头的DRAM将与减产前持平甚至更高，NAND则仍低于减产前水平。

三星和SK海力士都是存储大厂，提高设备投资额并调高明年的出货量，意味着行业龙头对明年整体情况持乐观态度，行业正逐渐回暖中。

值得一提的是，韩国金融投资业界近日一致上调了三星电子和SK海力士两家存储龙头的Q4业绩预期：SK海力士有望结束连续4个季度的营业赤字，今年Q4将实现1000亿韩元左右的盈利；三星电子也有望在明年Q1扭亏为盈。