三星计划在日本投资2.8亿美元建芯片封装研究设施
发布时间:2023-12-22 14:00:00 阅读量:1881
根据日本横滨市的一份公告,韩国三星电子将在五年内投资约400亿日元(2.8亿美元),在日本建立一个先进芯片封装研究机构。
据悉,该研发设施将专注于尖端芯片封装技术的研究。早在今年3月,三星就表示有意在神奈川建立芯片封装工厂,以加强与日本芯片设备和材料厂商的合作。三星在该地区已拥有研发中心,此次投资将进一步深化其与日本科技界的联系。
_20231222140601_907.png)
值得一提的是,日本政府也计划提供高达 200 亿日元(当前约 9.96 亿元人民币)的补贴,以重振该国的芯片研发和制造生态系统。
据外媒报道,这个新设施的总面积将达到约71166平方英尺,拥有技术研究设施和办公室,计划于2024年开放,将在日本雇佣约100名工程师。据信,该设施将成为开发高性能芯片所需的芯片封装技术的中心。
目前,三星是全球第二大半导体芯片制造商,但其晶圆代工市场份额远低于其竞争对手台积电。该公司计划在未来几年内投资2300亿美元,以超越台积电,成为全球最大的芯片制造商。
相关文章阅读
-
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
2024-05-29
-
三星否认其HBM内存芯片未通过英伟达测试
2024-05-27
-
三星完成开发首款可穿戴机器人Bot Fit,计划Q3上市
2024-05-27
-
三星投资提升3纳米工艺以争夺英伟达订单
2024-05-23
-
三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
2024-05-22
-
消息称三星HBM3E芯片未通过英伟达验证
2024-05-17
-
三星、SK海力士将停供DDR3 或致价格飙涨
2024-05-13
-
官宣!三星3nm移动应用处理器实现首次流片
2024-05-08
热门分类
推荐产品
- STM32F405RGT6 ST
- HMC433ETR ADI
- LMX2594RHAR TI(德州仪器)
- ADUM4160BRWZ-RL ADI
- TPS82130SILR TEXAS INSTRUMENTS
- MT40A512M16LY-062E:E
- STM32F103CBT6 ST
- TPS7A3901DSCR TI
- FT232RL-REEL FTDI
- INA180A3QDBVRQ1 TI
- 74HC157D,653 Nexperia
- RT0805BRD071K21L Yageo(国巨)
- TLV62569DRLR TI(德州仪器)
- HDC3022QDEJRQ1 TI
- SPX3819M5-L-3-3/TR MaxLinear
- ULN2003D1013TR STMICROELECTRONICS
- ECMF02-2HSMX6 STMicroelectronics
- HMC433ETR ADI(亚德诺)
- PRG18BB330MB1RB Murata
- LMKDB1120Z100NPPR TI
资讯排行榜
关注我们