消息称三星曾考虑在美国建10nm制程DRAM内存厂

据报道，三星电子曾考虑在美国兴建先进的DRAM内存晶圆厂，但由于一系列原因，最终决定改为建设先进的封装设施。

根据本周初达成的初步协议，三星电子将获得美国至多 64 亿美元（当前约 464 亿元人民币）补贴，在得克萨斯州泰勒市建设两座先进逻辑代工厂、一座先进封装工厂和一座先进制程研发设施。

报道称，三星电子本考虑在泰勒市建设一座 10nm 级先进制程的 DRAM 内存晶圆厂，相关商讨一直持续到了协议签署前的最后一刻。

美国方面为可能的内存厂建设计划提供了优厚的条件，三星方面也对此十分积极。不过，这一建厂计划受到一系列因素的阻挠，未能成真。一方面，在美国建设先进内存厂在技术上较为困难，成本也较高；另一方面，韩国政府表达了反对意见。

此外，美国和泰勒市方面都对先进封装业务的排污审批持配合态度。最终三星电子转而选择在美建设先进封装工厂。

业内人士表示，相较于美国，韩国对于半导体行业的支持较差，这促使三星电子考虑在美建设先进内存厂，如果韩国政府不能拿出足够的诚意，那这类计划下次就将成为现实。