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消息称三星曾考虑在美国建10nm制程DRAM内存厂

发布时间:2024-04-18 14:37:00 阅读量:466

据报道,三星电子曾考虑在美国兴建先进的DRAM内存晶圆厂,但由于一系列原因,最终决定改为建设先进的封装设施。

根据本周初达成的初步协议,三星电子将获得美国至多 64 亿美元(当前约 464 亿元人民币)补贴,在得克萨斯州泰勒市建设两座先进逻辑代工厂、一座先进封装工厂和一座先进制程研发设施。

消息称三星曾考虑在美国建10nm制程DRAM内存厂

报道称,三星电子本考虑在泰勒市建设一座 10nm 级先进制程的 DRAM 内存晶圆厂,相关商讨一直持续到了协议签署前的最后一刻。

美国方面为可能的内存厂建设计划提供了优厚的条件,三星方面也对此十分积极。不过,这一建厂计划受到一系列因素的阻挠,未能成真。一方面,在美国建设先进内存厂在技术上较为困难,成本也较高;另一方面,韩国政府表达了反对意见。

此外,美国和泰勒市方面都对先进封装业务的排污审批持配合态度。最终三星电子转而选择在美建设先进封装工厂。

业内人士表示,相较于美国,韩国对于半导体行业的支持较差,这促使三星电子考虑在美建设先进内存厂,如果韩国政府不能拿出足够的诚意,那这类计划下次就将成为现实。


标签: 三星

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