三星启动其首批第九代 V-NAND 闪存量产

三星半导体今日宣布，其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产，比三星上一代产品提高约 50% 的位密度（bit density），通过通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率。

凭凭借业界最小的单元尺寸和最薄的模组，三星将第9代V-NAND的位密度相比第8代V-NAND提高了约50%。新技术的运用，如单元干扰避免和单元寿命延长，不仅提升了产品的质量和可靠性，而且通过消除虚通道孔显著减少了存储单元的平面面积。

此外，三星的“通道孔蚀刻”技术通过堆叠模具层来创建电子通路，可在双层结构中同时钻孔，达到三星最高的单元层数，从而最大限度地提高了制造生产率。随着单元层数的增加，穿透更多单元的能力变得至关重要，这就对更复杂的蚀刻技术提出了要求。

第九代 V-NAND 配备了下一代 NAND 闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入 / 输出速度提高 33%，最高可达每秒 3.2 千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。

三星已于本月开始量产第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品，并将于今年下半年开始量产四层单元（QLC）第九代 V-NAND。

三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示：“我们很高兴推出三星首款第九代V-NAND产品，这将为未来应用的飞速发展提供新的可能性。为了满足持续演进的NAND闪存解决方案需求，三星在新型闪存的单元架构和操作方案上实现了重大突破。"