英特尔技术创新不断加速 力争在2025年前引领代工市场

英特尔公司宣布新的制程工艺和封装技术路线图，将在代工服务业中，与台积电和三星等厂商展开激烈竞争，争取在2025年前引领代工市场。英特尔CEO基辛格周一概述了一项计划，从2021年至2025年，该公司每年至少都将推出一款新的中央处理器（CPU），而且每一款都将基于比前一代更先进的晶体管技术。

英特尔技术专家详述了以下路线图，其中包含新的节点命名和实现每个制程节点的创新技术：

1. 基于 FinFET 晶体管优化，Intel 7与 Intel 10nm SuperFin 相比，每瓦性能将提升约10%-15%。2021年即将推出的Alder Lake客户端产品将会采用Intel 7 工艺，之后是面向数据中心的 Sapphire Rapids预计将于 2022 年第一季度投产。

2. Intel 4完全采用 EUV 光刻技术，可使用超短波长的光，刻印极微小的图样。凭借每瓦性能约 20% 的提升以及芯片面积的改进，Intel 4 将在 2022 年下半年投产，并于 2023 年出货，这些产品包括面向客户端的 Meteor Lake 和面向数据中心的 Granite Rapids。

3. Intel 3凭借FinFET 的进一步优化和在更多工序中增加对EUV使用，较之Intel 4将在每瓦性能上实现约18%的提升，在芯片面积上也会有额外改进。 Intel 3将于2023年下半年开始用于相关产品生产。

4. Intel 20A将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。RibbonFET 是英特尔对Gate All Around晶体管的实现，它将成为公司自 2011 年率先推出 FinFET 以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia 是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。Intel 20A 预计将在 2024 年推出。英特尔也很高兴能在Intel 20A 制程工艺技术上，与高通公司进行合作。

5. 2025 年及更远的未来：从Intel 20A更进一步的Intel 18A节点也已在研发中，将于2025年初推出，它将对RibbonFET进行改进，在晶体管性能上实现又一次重大飞跃。英特尔还致力于定义、构建和部署下一代High-NA EUV，有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。英特尔正与 ASML 密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代 EUV。

近日英特尔宣布，高通成为其代工服务业务的第一个主要客户。也就是说，未来几年的骁龙系列芯片将由英特尔制造。除高通之外，英特尔代工芯片业务的另一个客户是亚马逊。但亚马逊不会直接采用英特尔制造的芯片，而是组装技术（通过堆叠来组装芯片和“小芯片”或“瓦片”）。英特尔为其制造的芯片将使用20A制程工艺，预计将在2024年量产。

英特尔CEO基辛格重申自家「IDM 2.0」策略时，也阐述和其他晶圆代工厂之间的伙伴关系。他还强调，英特尔全球自家工厂是竞争优势关键，可实现产品优化、提高经济效益和供货弹性，该公司将继续自内部生产多数产品。