单条512GB、频率7200MHz!三星DDR5内存将于2022年底开始量产

韩国三星电子在23日举行的在全球半导体产业会议Hotchips 33上表示，韩国三星电子将于2022年底开始量产的8层堆叠DDR5存储器。

这款正在开发具有 8 层 TSV（直通硅通孔）的 DDR5 内存模块，是 DDR4 内存容量的两倍。高端DDR4内存的频率一般在3600MHz~4266MHz之间，但DDR5内存基本是4800MHz起步，三星的这款DDR5内存更是达到了7200MHz。更重要的是，DDR5所需电压为1.1V，比DDR4还要低0.1V。与DDR4相比，DDR5的主要升级点在于容量、频率等方面。

据悉，其将使用其硅通孔（TSV）技术，将512GBDDR5内存模组进一步堆叠起来。而目前该公司已经生产出4层堆叠，并采用TSV技术整合DDR4内存模组的内存，整个芯片的厚度仅1.2毫米。三星还应用了一种称为决策反馈均衡器的技术，以进一步提升数据传输速率，并保信号的稳定状况。另外，三星还强调，新的内存模组将以数据中心的服务器市场需求为主要供应对象。

通过优化封装，三星的 DDR5 内存模块高度将低于 DDR4 4 层内存。由于管芯之间的间隙更小（减少 40%）以及通过实施薄晶圆处理技术，高度的降低成为可能。重要的是8 层 TSV 模块将提供更好的散热。尽管可堆叠到8层DDR5内存模组，但整个DDR5内存仍将比1毫米更薄。另外，三星还在模组中也采用自己开发的新款电源管理IC来降低噪音，并使其有较优秀的功耗性能。三星新的8层堆叠DDR5内存将具有7.2Gbps的数据传输速度。

三星认为消费级用户短期内的需求不会超过64GB，即使是在升级到DDR5内容以后，消费级用户的需求也应该是在64GB左右徘徊。并表示预计到 2023/2024 年能够向主流市场提供该 DDR5 内存，数据中心市场的产品将更快推出，计划在今年年底前生产 512GB 内存模块。