SK 海力士、三星电子正加速3D DRAM商业化

三星和SK海力士是存储器领域的领导者，位列行业前两名，传闻两家巨头都在加快3D DRAM商业化进程，以改变存储器行业的游戏规则。据悉DRAM行业里排名第三的美光，自2019年以来就开始了3D DRAM的研究，获得的专利数量是三星和SK海力士的两到三倍。

三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。

三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。

此外，负责 SK 海力士未来技术研究所的 SK 海力士副总经理车善龙也表示：“将于明年公开 3D DRAM 的电子特性细节，从而确定开发方向。”

三星电子和 SK 海力士今年实现量产的高端 DRAM 线宽为 12 纳米。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况，业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然，而不是一种方向。

与现有的DRAM市场不同，3D DRAM市场上目前还没有绝对的领导者，因此快速量产才是至关重要的。随着ChatGPT等人工智能（AI）应用产品的活跃，市场对高性能、大容量存储半导体的需求将会增加。

相关信息显示，3D DRAM 是一种采用全新结构的存储芯片。简单来说，现有 DRAM 产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度，但随着线宽进入 10nm 范围，业界开始面临电容器漏电和干扰等物理限制。为了避免或削弱这种影响，业界引进了高介电常数 (高 K) 沉积材料和极紫外 (EUV) 设备等新材料和设备。但半导体行业认为，制造 10nm 或更先进芯片的小型芯片将为制造商带来巨大挑战。