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SK 海力士、三星电子正加速3D DRAM商业化

发布时间:2023-03-15 16:16:00 阅读量:553

三星和SK海力士是存储器领域的领导者,位列行业前两名,传闻两家巨头都在加快3D DRAM商业化进程,以改变存储器行业的游戏规则。据悉DRAM行业里排名第三的美光,自2019年以来就开始了3D DRAM的研究,获得的专利数量是三星和SK海力士的两到三倍。

三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化,并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。

SK 海力士、三星电子正加速3D DRAM商业化

三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。

此外,负责 SK 海力士未来技术研究所的 SK 海力士副总经理车善龙也表示:“将于明年公开 3D DRAM 的电子特性细节,从而确定开发方向。”

三星电子和 SK 海力士今年实现量产的高端 DRAM 线宽为 12 纳米。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况,业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然,而不是一种方向。

与现有的DRAM市场不同,3D DRAM市场上目前还没有绝对的领导者,因此快速量产才是至关重要的。随着ChatGPT等人工智能(AI)应用产品的活跃,市场对高性能、大容量存储半导体的需求将会增加。

相关信息显示,3D DRAM 是一种采用全新结构的存储芯片。简单来说,现有 DRAM 产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度,但随着线宽进入 10nm 范围,业界开始面临电容器漏电和干扰等物理限制。为了避免或削弱这种影响,业界引进了高介电常数 (高 K) 沉积材料和极紫外 (EUV) 设备等新材料和设备。但半导体行业认为,制造 10nm 或更先进芯片的小型芯片将为制造商带来巨大挑战。

标签: DRAM SK 海力士 三星电子

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