三星计划在2025年后率先进入3D DRAM内存时代

据报道，三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代。

DRAM 内存行业将于本十年后期将线宽压缩至 10nm 以下。而在如此精细的尺度下，现有设计方案难以进一步扩展，业界因此正在探索包括 3D DRAM 在内的多种创新型内存设计。

▲ 图源 Semiconductor Engineering

三星在 Memcon 2024 的幻灯片上展示了两项 3D DRAM 内存新技术，包括垂直通道晶体管（Vertical Channel Transistor）和堆叠 DRAM（Stacked DRAM）。

相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大幅减少器件面积占用，但提升了对刻蚀工艺精度的要求。

相较现有 2D DRAM 结构，堆叠 DRAM 可充分利用 z 方向空间，在较小面积中容纳更多存储单元，单芯片容纳提升至 100G 以上。

根据市场预测，3D DRAM市场规模有望于2028年达到1000亿美元（约合人民币7240亿元）。为了与主要内存制造商竞争，三星已在年初在美国硅谷开设了一家新的3D DRAM研发实验室。

这一举措表明三星正积极投入资源来推动3D内存技术的发展，并争取在未来率先推出新一代产品。预计这些新技术将为三星带来巨大的商业机会，同时也将促进整个DRAM市场的创新和发展。