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三星计划在2025年后率先进入3D DRAM内存时代

发布时间:2024-04-03 14:36:00 阅读量:440

据报道,三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代。

DRAM 内存行业将于本十年后期将线宽压缩至 10nm 以下。而在如此精细的尺度下,现有设计方案难以进一步扩展,业界因此正在探索包括 3D DRAM 在内的多种创新型内存设计。

三星计划在2025年后率先进入3D DRAM内存时代

▲ 图源 Semiconductor Engineering

三星在 Memcon 2024 的幻灯片上展示了两项 3D DRAM 内存新技术,包括垂直通道晶体管(Vertical Channel Transistor)和堆叠 DRAM(Stacked DRAM)。

相较于传统的晶体管结构,垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直,可大幅减少器件面积占用,但提升了对刻蚀工艺精度的要求。

相较现有 2D DRAM 结构,堆叠 DRAM 可充分利用 z 方向空间,在较小面积中容纳更多存储单元,单芯片容纳提升至 100G 以上。

根据市场预测,3D DRAM市场规模有望于2028年达到1000亿美元(约合人民币7240亿元)。为了与主要内存制造商竞争,三星已在年初在美国硅谷开设了一家新的3D DRAM研发实验室。

这一举措表明三星正积极投入资源来推动3D内存技术的发展,并争取在未来率先推出新一代产品。预计这些新技术将为三星带来巨大的商业机会,同时也将促进整个DRAM市场的创新和发展。

标签: DRAM 三星

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