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晶体管和场效应管相比有何差异
晶体管和场效应管是两种常见的半导体器件,它们在工作原理、应用和性能等方面存在很大的差异。本文将为您介绍晶体管和场效应管的差异。
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场效应管的特点及使用注意事项有哪些?
场效应管(MOSFET)是电子产品的基本模块之一,也是制造最为频繁的元件。场效应管是数字和模拟集成电路中占主导作用的元件,也是常见的功率器件。由于具有输入阻抗非常高(可达l09~lO15Ω)、噪声低、动态变化范围大和温度系数小,且为电压控制元件等优点,因此应用也较为广泛。场效应管的特点及使用注意事项有哪些?如果你对本文即将要涉及的内容感兴趣的话,不妨继续往下阅读。
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场效应管(FET)型号及主要参数表达含义
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor,简写成FET。为帮助大家深入了解,本文将介绍关于场效应管(FET)型号及主要参数表达含义。
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场效应管的工作原理和主要作用
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。