三星和SK海力士"抢人大战" 加速扩大HBM市场规模

随着AI带动GPU的广泛应用，HBM市场也不断扩大。在AI芯片需求不减竞争加剧的背景下，全球最大的两家存储器芯片制造商三星和SK海力士都在积极扩大HBM产量抢占AI芯片存力风口。

三星电子和SK海力士最近发起了一波针对高带宽内存（HBM）领域经验丰富的专业人士的招聘浪潮。三星半导体和设备解决方案（DS）已经发布了涵盖各个部门的招聘通知，包括存储器事业部、系统LSI事业部、晶圆代工事业部、半导体研究所等。为了缩小与SK海力士的差距，三星已采取战略举措，将韩国天安工厂的HBM产能提高一倍以上，最近还从华城和平泽工厂搬迁了员工。SK海力士为增强其HBM业务实力，将于2023年12月20日前招聘28个经验丰富的专业人员，涉及DRAM设计、HBM封装产品开发、高级PKG、质量管理和产品规划。

HBM（High Bandwidth Memory）属于垂直连接多个DRAM，与DRAM相比提供了更快的数据传输速度，更高的带宽和更大的容量。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中 HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本。SK海力士在今年8月宣布成功开发出HBM3E，而三星也在上个月宣布推出名为“Shinebolt”的HBM3E。

据业内人士称，随着科技巨头预测人工智能服务的扩张，HBM的需求量未来将不断增加。为了满足未来的HBM需求，三星和SK海力士需要将产能提高到目前水平的十倍以上。