三星和SK海力士"抢人大战" 加速扩大HBM市场规模
发布时间:2023-12-14 15:00:00 阅读量:707
随着AI带动GPU的广泛应用,HBM市场也不断扩大。在AI芯片需求不减竞争加剧的背景下,全球最大的两家存储器芯片制造商三星和SK海力士都在积极扩大HBM产量抢占AI芯片存力风口。
三星电子和SK海力士最近发起了一波针对高带宽内存(HBM)领域经验丰富的专业人士的招聘浪潮。三星半导体和设备解决方案(DS)已经发布了涵盖各个部门的招聘通知,包括存储器事业部、系统LSI事业部、晶圆代工事业部、半导体研究所等。为了缩小与SK海力士的差距,三星已采取战略举措,将韩国天安工厂的HBM产能提高一倍以上,最近还从华城和平泽工厂搬迁了员工。SK海力士为增强其HBM业务实力,将于2023年12月20日前招聘28个经验丰富的专业人员,涉及DRAM设计、HBM封装产品开发、高级PKG、质量管理和产品规划。
HBM(High Bandwidth Memory)属于垂直连接多个DRAM,与DRAM相比提供了更快的数据传输速度,更高的带宽和更大的容量。HBM DRAM产品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的顺序开发,其中 HBM3E是HBM3的扩展(Extended)版本。SK海力士在今年8月宣布成功开发出HBM3E,而三星也在上个月宣布推出名为“Shinebolt”的HBM3E。
据业内人士称,随着科技巨头预测人工智能服务的扩张,HBM的需求量未来将不断增加。为了满足未来的HBM需求,三星和SK海力士需要将产能提高到目前水平的十倍以上。
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