IXYS IX4351评估板包含演示大功率SiC MOSFET栅极驱动器和SiC MOSFET的特性所需的所有必要电路。IXYS IX4351评估板包括一个Littelfuse LSIC1MO120E0080 1200V SiC MOSFET，RDSON典型值为80m，ID为25A。该评估板还设有用于输入驱动和故障输出指示引脚的光隔离接口。

IXYS栅极驱动评估平台 (GDEV) 用于评估实际供电额定电压和额定电流下碳化硅功率MOSFET和二极管的连续运行情况。该模块在精确定义和经过优化的测试条件下比较不同栅极驱动器解决方案的性能。IXYS GDEV提供一组精确定义的测试条件和快速连接功能，以评估和比较采用不同驱动器IC的不同驱动板设计的性能。它还具有一套完整散热解决方案，允许在实际供电高压和大电流下连续运行功率器件。