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行业新闻预计明年DRAM、NAND需求将分别增长13.0％和16.0％
根据集邦咨询最新研究报告，预计在2024年，DRAM与NAND Flash仍然会延续减产策略，尤其是亏损严重的闪存，但与此同时，至少在2024年上半年，消费电子市场需求仍不明朗，服务器需求相对疲弱。
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媒体报道SK海力士发布321层NAND闪存样品 预计2025年上半年量产
SK海力士于当地时间8日，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的“2023闪存峰会”上，公布了321层1Tb TLC 4D NAND闪存开发的进展，并展示了现阶段开发的样品。作为业界首家公布300层以上NAND具体开发进展的公司，SK海力士宣布，将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。
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行业新闻SK海力士开始量产业界最高238层4D NAND闪存
SK海力士宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前，公司于去年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。
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行业新闻铠侠西数宣布推出218层3D NAND或于2023年量产
近日，存储器大厂铠侠和西部数据共同宣布推出最新的218层3D NAND闪存，展示了双方持续携手创新的成果。据铠侠首席技术官Masaki Momodomi介绍，公司与西数成功推出了目前具有业界最高位密度的第八代BiCS闪存，现已开始为部分客户提供样品。
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行业新闻三星电子晶圆代工业务Q3营收55.8亿美元 首次超过NAND闪存业务
全球最大的内存芯片制造商三星电子公司的代工业务收入首次超过其主要的NAND闪存芯片。根据市场研究机构TrendForce最新公布的2022年三季度全球晶圆代工市场的报告显示，台积电依旧是全球晶圆代工市场龙头，截至第三季度，三星的代工市场份额为15.5%，而台积电为56.1%。
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行业新闻三星电子时隔8年再建研发中心 专攻先进NAND闪存
近日，当前全球最大的存储芯片制造商三星电子，计划在本月新设立一个研发中心，负责研发更先进的NAND闪存。据报道，该研发园区总面积约10.9万平方米，将主管NAND闪存、晶圆代工、系统芯片等新技术研发。三星电子计划到2028年对该园区投资约20万亿韩元（约合人民币1030亿元）。
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