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行业新闻美光推出7500系列SSD 采用232层3D TLC NAND闪存
近日，美光宣布推出适用于数据中心工作负载的7500 NVMe SSD，主要面向数据中心存储应用，包括了云服务器和企业服务器。是全球目前唯一一款搭载200+层NAND闪存的主流数据中心SSD。
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行业新闻美光投资10亿美元在马来西亚启用先进组装和测试工厂
最近，美光宣布迎来了一个具有历史意义的日子。在庆祝美光成立45周年之际，该公司的先进组装和测试工厂在马来西亚当地时间10月15日正式开业。该工厂采用智能制造应用程序来优化效率、产量和生产质量，以确保美光继续提供高效、可靠的产品。
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媒体报道美光即将发布财报 DRAM产业有望回温
根据台湾媒体《经济日报》的报道，存储器制造商美光将在9月27日公布最新财报。近期，由于DRAM原厂持续严格控制DRAM位元产出率，下半年DRAM库存水平开始逐步下降，而且价格可能最快在今年底全面稳定。
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媒体报道美光在印度建设半导体工厂取得新进展
据印度媒体报道，美国存储器芯片大厂美光在印度的首座工厂于9月23日举行破土仪式。印度电子与资讯科技部长Ashwini Vaishnaw出席了该仪式，并对外表示该工厂将很快完工，预计2024年12月开始生产印度首批本土芯片。
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媒体报道美光加码印度投资 计划增设半导体芯片部门
近日外媒报道，印度电子和信息技术部部长 Rajeev Chandrasekhar 称美光除了拟议中的制造部门之外还打算在印度建立多个半导体组装和封装部门，美光将长期看好印度市场。
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媒体报道美光发布CZ120内存扩展模块 加速CXL2.0推广
美光科技宣布，已为客户及合作伙伴出样美光CZ120内存扩展模块。该模块拥有 128GB 和 256GB 两种容量，采用 E3.S 2T 外形规格，支持 PCIe 5.0 x8 接口。此外，CZ120 模块能够提供高达 36GB/s 的内存读取/写入带宽，并在需要增加内存容量和带宽时为标准服务器系统提供增强支持。
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媒体报道美光推出8层堆叠24GB容量第二代HBM3内存 性能提高2.5倍
近日，美光科技宣布已开始送样其首款8-high 24GB HBM3 Gen2内存产品，带宽大于1.2TB/s，引脚速度超过9.2Gb/s，比目前推出的HBM3解决方案提高50%，其每瓦性能比前几代产品提高了2.5倍。
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媒体报道美光计划在印度建设首座半导体工厂 总投资达 27.5 亿美元
美国存储芯片公司美光科技当地时间周三与印度政府签署了一份谅解备忘录，将在印度建设一家半导体工厂，这也是该公司在印度的第一家工厂。
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媒体报道美光将投资43亿元扩建西安封测厂
美光科技今日宣布，计划在未来几年中对其位于中国西安的封装测试工厂投资逾 43 亿元人民币。
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行业新闻1000亿美元！存储大厂Micron美光再建新厂扩大产能
据报道，存储器大厂美光科技计划在美国纽约州锡拉丘兹地区投资1000亿美元建设一个半导体制造园区，计划2024年开始动工兴建，2045 年完成建设，预计将雇用9000人。
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