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媒体报道传英伟达向SK海力士和美光大量预购HBM3内存
据消息人士透露，英伟达除了大量预定台积电产能外，还投入了巨资以确保其 HBM3 内存的供应。该公司从美光和 SK 海力士那里预购了价值介于 700 亿至 1 万亿韩元的 HBM3 内存。虽然目前没有公开关于这些款项具体用途的信息，但业内人士普遍认为这是为了确保 2024 年 HBM 供应的稳定。
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媒体报道美光HBM3E正接受主要客户质量评估
据业内人士透露，全球第三大DRAM制造企业美光目前正在接受主要客户对其开发的HBM3E的质量评价。另外，在HBM市场，已有一家客户预付6亿美元，支持美光开发新产品。
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行业新闻美光最新财报喜人 预测存储报价涨到2025年
美光CEO梅罗塔在会议中表示，存储芯片价格明年将回升，2025年进一步上涨。他在声明中重申，2024年将是存储产业景气反弹的一年，在2025年重回迈向创纪录水准之路，「我们预期我们业务基本面在整个2024年改善。我们准备好要利用AI带旺整个市场带来的巨大机会」。
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行业新闻美光1γ DRAM、HBM芯片将于2025年上半年量产
随着人工智能、大数据等技术的不断普及，业界对DRAM芯片的要求不断提高。为了提高性能和容量，存储器制造商们正在瞄准先进制程技术。
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媒体报道美光与工会达成150亿美元芯片厂劳工协议
据报道，美光与工会达成协议，将建设一家价值150亿美元的芯片制造工厂。美光曾承诺，未来20年将在纽约州投资多达1000亿美元，而该地点也在这类劳工协议的管辖范围。
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行业新闻美光发布32Gb单裸片 128GB DDR5 RDIMM 内存
Micron Technology, Inc.近日宣布领先业界推出基于 32Gb 单裸片的128GB DDR5 RDIMM 内存，具有高达 8,000 MT/s 速率的一流性能，可支持当前及未来的数据中心工作负载。
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媒体报道存储器大厂美光公布最新路线图
存储器大厂美光近期公布最新路线图，包括DDR5、GDDR7和HBM4E存储器技术，其中GDDR7正好赶上明年底下一代英伟达GPU芯片。
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媒体报道美光发布32Gb单芯片128GB DDR5 RDIMM内存
美光科技宣布推出32Gb单片芯片128GB DDR5 RDIMM内存，速度高达8000 MT/s ，可支持当前和未来的数据中心工作负载。这些大容量、高速内存模块旨在满足数据中心和云环境中各种关键任务应用程序的性能和数据处理需求，包括人工智能、内存数据库以及多线程、多核计数一般计算工作负载的高效处理。
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行业新闻三星、美光积极扩产HBM 紧跟AI大趋势
随着人工智能浪潮的兴起，市场对HBM技术的需求持续高涨，成为人们关注的焦点。全球市场研究公司集邦咨询预计，2023 年 HBM 需求将同比增长 58%，2024 年可能进一步增长约 30%。根据最新报告，三星和美光两家公司正在积极筹备扩大HBM DRAM产能。
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行业新闻美光发布1β DDR5 DRAM 速率高达7200MT/s
Micron Technology Inc.近日宣布已将业界领先的1β(1-beta)制程技术应用于16Gb容量版本的 DDR5内存。美光1β DDR5 DRAM在系统内的速率高达7,200 MT/s，现已面向数据中心及PC市场的所有客户出货。基于1β节点的美光DDR5内存采用先进的High-K CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术，相比上一代产品，性能提升高达50%，每瓦性能提升33%。
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