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Diodes 公司 (Diodes)发布 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器,在同级产品中实现了业界极高的电流密度,以低正向压降和热阻的特性,为体积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。此系列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占 0.84mm² 电路板空间的芯片级封装 (CSP),适用于各种用途,可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管使用。
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半导体封测厂商日月光3月21日宣布,推出小芯片(Chiplet)新互联技术,以应对人工智能发展带来的多样化小芯片整合设计和先进封装。
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美国商务部20日宣布,美国政府与英特尔达成一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT),将根据美国《芯片与科学法案》向后者提供至多85亿美元直接资金和最高110亿美元贷款,支持后者在美国多州的半导体项目。声明称,预计英特尔未来5年将在美国投资超1000亿美元,包括在亚利桑那州和俄亥俄州大型工厂生产尖端半导体,以及俄勒冈州和新墨西哥州小型工厂的设备研发和先进封装项目,直接创造超1万个制造业就业机会和近2万个建筑业就业机会。
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美光科技CEO Sanjay Mehrotra周三在财报电话会议上表示,AI服务器需求正推动HBM、DDR5和数据中心SSD快速成长。其中,美光HBM产品有望在2024会计年度创造数亿美元营业额,HBM营收预料自2024会计年度第三季起为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。
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国际半导体产业协会(SEMI)报告显示,由于存储器市场的复苏以及高性能计算、汽车应用的强劲需求,全球应用于前道工艺的300mm晶圆厂设备投资,预计将在2025年首次突破1000亿美元,2027年将达到创纪录的1370亿美元。
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据英特尔向美国俄亥俄州政府提交的难度报告,其位于该州的两座新晶圆厂的投运时间已推迟至2027~2028年。俄亥俄州一号项目的Fab1和Fab2两座工厂均计划于2026~2027年完工,约一年后正式投运。
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在2024年的英伟达GTC大会上,英伟达公司CEO黄仁勋宣布了新一代GPU Blackwell的推出。首款Blackwell芯片名为GB200,预计将在今年晚些时候上市。
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3月18日,国新办举行2024年1-2月份国民经济运行情况新闻发布会。国家统计局新闻发言人、总经济师、国民经济综合统计司司长在会上表示,今年前两个月,新动能新优势不断培育壮大,各方面都有新的进展。具有高科技、高效能、高质量特征的行业发展向好。
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Holtek 新推出 BS45F2345 Touch A/D Flash MCU,特点内建高精准度振荡器、精准的 ADC 参考电压、8 路触控按键及支持SLCD 功能。其中触控可通过 CS (Conductive Susceptibility) 10V 动态测试,且优化应用使得 ROM 空间可最大化利用,适合各类触控电子产品使用,如触控小家电、抽油烟机、电磁炉、咖啡机等。