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媒体报道美光将在日本广岛建造新的DRAM芯片工厂
美光科技计划在日本广岛县建造一家新的DRAM芯片工厂，目标是最快在2027年底投入运营。总投资估计在6000-8000亿日元之间。美光原本早就有在日建厂的计划，最初的计划曾预计推动新厂在2024年便投入营运。但此前，由于市场状况不佳，这一建厂计划一度遭到搁置。
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媒体报道HBM产能增加或有助于稳定DRAM价格上涨势头
因PC、智能手机需求复苏仍需时间，造成在智能手机、PC、数据中心服务器上用于暂时储存数据的DRAM价格涨势停歇。2024年4月份指标性产品DDR4 8Gb批发价(大宗交易价格)为每个1.95美元左右、容量较小的4Gb产品价格为每个1.50美元左右，价格皆持平于前一个月份(2024年3月)水准、皆为连续第2个月呈现持平。截至2024年2月为止、DRAM价格连4个月呈现扬升。DRAM批发价格为存储厂商和客户间每个月或每季敲定一次。
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行业新闻三星计划在2025年后率先进入3D DRAM内存时代
据报道，三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代。
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媒体报道三星和SK海力士考虑增产高价值DRAM
随着人工智能（AI）需求的持续增长，高带宽存储器（HBM）和第五代双倍数据速率同步动态随机存取内存（DDR5）的订单有望增加。韩国两大半导体巨头三星电子和SK海力士正密切关注这一市场变化，考虑提高高价值DRAM产品的产量。
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媒体报道三星在硅谷设立新实验室研发下一代 3D DRAM 内存
据业内人士称，全球最大存储芯片制造商三星电子公司在美国新设了一个研究实验室，以开发新一代3D DRAM。该实验室隶属于总部位于美国硅谷、负责三星在美国半导体生产的Device Solutions America ，将致力于开发升级的DRAM模型，使三星能够引领全球3D存储芯片市场。
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行业新闻DRAM/NAND合约价Q1预计涨幅18% 全年将继续上涨
据报道，DRAM产品合约价自2021年第四季开始下跌，连跌8个季度，至2023年第四季度上涨。NAND Flash合约价自2022年第三季度开始下跌，连跌4个季度，自2023年第三季度起涨。预计这两类存储芯片价格在2024年一季度大幅上涨18%左右，第二季度涨幅收敛。
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行业新闻消息称SK海力士与三星电子DRAM市场份额差距已缩小至4.4%
据上周发布的研究机构数据显示，人工智能聊天机器人 ChatGPT 的火爆引领了人工智能领域应用需求的增长，推动了SK海力士在全球DRAM市场上的份额在第三季度达到了35%。这是SK海力士自成立以来市场份额最高的一个季度。
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媒体报道SK海力士DRAM市场占有率达35%，创历史新高
根据外媒报道，最近一份研究机构的数据显示，在ChatGPT等人工智能聊天机器人的热潮推动下，人工智能领域的应用需求不断增加。推动SK海力士在第三季度在全球DRAM市场的份额达到了35％，成为该公司自成立以来市场份额最高的一个季度。这一趋势表明，人工智能领域的快速发展正在推动半导体市场的增长。
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行业新闻SK海力士加速LPDDR5T DRAM商用化 速度高达9.6Gbps
近日，SK海力士宣布，公司正式向客户供应LPDDR5T（Low Power Double Data Rate 5 Turbo）的16GB（千兆）容量套装产品，这是迄今为止最快的移动DRAM产品，可实现每秒9.6Gpbs（每秒9.6千兆）的传输速度。
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媒体报道消费电子市场复苏 推动DRAM合约价格上涨
据市调机构发布的数据，普遍应用于个人电脑（PC）的DRAM芯片DDR4 8Gb 2133MHz，10月合约价来到1.5美元，相较9月价格劲涨15.4％。
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