三星半导体今日宣布，其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产，比三星上一代产品提高约 50% 的位密度（bit density），通过通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率。

根据韩媒报道，三星和AMD公司签署了价值4万亿韩元的HBM3E供货协议。报道称，这份合同中，AMD将采购三星的HBM，而作为交换，三星将采购AMD的AI加速卡，但是具体的换购数量目前尚不清楚。

据报道，三星电子曾考虑在美国兴建先进的DRAM内存晶圆厂，但由于一系列原因，最终决定改为建设先进的封装设施。

三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。不过，三星方面对进一步的增产仍然保持谨慎态度，希望避免影响到NAND Flash的价格涨势。三星在产能全开的情况下，NAND Flash闪存的生产线单季度晶圆投片量可超过200万片。

三星电子宣布，已开发出业界首款支持高达10.7Gbps的LPDDR5X DRAM内存。三星表示，这款10.7Gbps LPDDR5X内存基于12nm级工艺技术，相较上代产品性能提高25%以上，容量提高30%以上。同时该内存将移动DRAM的单封装容量扩充至32GB，满足端侧AI应用对高性能大容量内存的需求。

近日，美国政府宣布将向三星电子提供至多价值 64 亿美元（当前约合 464.64 亿元人民币）的补贴，而三星电子将在得克萨斯州投资超过 400 亿美元，建设包括 2nm 晶圆厂在内的一系列半导体项目。

随着全球第三大NAND闪存公司西数称，涨价涉及各条HDD、SSD产品线，有些已经立即生效，而且会随时根据实际情况继续调整价格。三星电子和SK海力士的NAND业务预计将在2024年第一季度实现盈利。

据报道，三星电子成功拿下了英伟达的 2.5D 封装订单。消息人士透露，三星的先进封装 (AVP) 团队将为英伟达提供 Interposer（中间层）和 I-Cube，这是其自主研发的 2.5D 封装技术，高带宽内存 (HBM) 和 GPU 晶圆的生产将由其他公司负责。

据报道，三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代。

由于市场需求强劲，三星电子将把第二季度商用固态硬盘价格上调至多25%。全球科技公司大建数据中心，导致对数据中心所需存储设备的需求急剧增加。据悉，不仅使原本处于减产基调的企业用SSD生产正常化，还在讨论增产。