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行业新闻
英飞凌与多家知名厂商合作 加码SiC与GaN技术
近期,英飞凌与安克创新、盛弘电气两大厂商达成合作。其中,英飞凌将为盛弘提供业内领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件,配合EiceDRIVER紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC,从而进一步提升储能变流器的效率。
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行业新闻
英飞凌与SK Siltron CSS达成SiC供应协议
近日,英飞凌已与碳化硅 (SiC) 供应商SK Siltron CSS正式达成协议。根据协议,SK Siltron CSS将为其提供具有竞争力的高质量150mm SiC晶圆,支持SiC半导体的生产。在后续阶段,SK Siltron CSS将在协助英飞凌向200 mm 晶圆直径过渡方面发挥重要作用。
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媒体报道
意法半导体与理想汽车达成长期SIC供货协议
意法半导体官微宣布,该公司与理想汽车签署了一项碳化硅(SiC)长期供货协议。按照协议,意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET,支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。
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行业新闻
Nexperia推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件,RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。
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行业新闻
Nexperia与三菱电机合作开发SiC功率半导体
Nexperia宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系,共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业,双方联手开发,将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度,同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。
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媒体报道
东部高科加大SiC、GaN研发
为了支持未来业务增长,韩国晶圆代工厂东部高科正在加大在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体领域的研发力度。最近的投资旨在提高其8英寸晶圆的制造能力。
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媒体报道
英飞凌再扩产 将建造全球最大8英寸SiC晶圆厂
近日,功率半导体大厂英飞凌宣布,计划在未来五年内投资高达50亿欧元,用于在马来西亚建造全球最大的8英寸SiC功率晶圆厂。
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媒体报道
安森美与博格华纳签署超10亿美元SiC合作协议
智能电源和智能感知技术公司安森美(onsemi)与创新且可持续的移动出行解决方案供应商博格华纳(BorgWarner)扩大碳化硅(SiC)方面的战略合作,协议总价值超10亿美元。
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行业新闻
机构:2023年SiC功率元件市场产值估将突破22亿美元
第三代半导体包括碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN),整体产值又以SiC占80%为重。SiC适合高压、大电流的应用场景,能进一步提升电动汽车与再生能源设备系统效率。据TrendForce集邦咨询研究统计,随着安森美(onsemi)、英飞凌(Infineon)等与汽车、能源业者合作项目明朗化,将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元,年成长41.4%。
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媒体报道
安森美在捷克扩建碳化硅工厂 SiC产能将提高16倍
领先于智能电源和智能感知技术的安森美庆祝其在捷克共和国Roznov扩建的碳化硅 (以下简称“SiC”) 工厂的落成。以工业和贸易部科长Zbyněk Pokorný、兹林州州长Radim Holiš和市长Jiří Pavlica以及当地其他政府要员为首的多位嘉宾出席了剪彩仪式,表明这一事件和半导体制造在捷克共和国的重要性。