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行业新闻
英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS™ 7
英飞凌科技股份公司推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。
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英飞凌推出用于功率MOSFET的新型顶部冷却封装
英飞凌科技股份公司推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。
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艾睿电子联合英飞凌推出240W USB PD3.1参考设计
2024年3月28日,艾睿电子携手英飞凌科技股份公司,推出了240W USB电力传输(PD)3.1参考设计板,以满足需要高功率功能的客户项目。这款新设计展示了USB PD 3.1扩展功率范围(EPR)的软件和原理图实例,支持通过单一USB电源实现高达240W的输出功率。
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英飞凌携手Green Hills Software推出适用于软件定义汽车的实时应用集成平台
英飞凌科技股份公司与嵌入式安全领域的全球领导者Green Hills Software LLC共同推出基于微控制器的集成处理平台,适用于安全关键型实时汽车系统。该平台结合了Green Hills获得安全认证的实时操作系统(RTOS)µ-velOSity™以及英飞凌新一代安全控制器AURIX™ TC4x,能为OEM厂商和Tier 1零部件厂商提供安全可靠的处理平台,用于开发电动汽车的域控制器、区域控制器及传动系统,以实现下一代软件定义汽车(SDV)架构。
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英飞凌推出第二代CoolSiC MOSFET 为电力电子领域设定新标准
在当今高度依赖电力的社会中,功率损耗已成为电力电子领域不可忽视的关键因素。为满足行业对更高效、更可靠的电力处理方案的需求,英飞凌科技股份公司近日推出了新型的碳化硅CoolSiC MOSFET G2沟槽技术。这一技术为AC/DC、DC/DC、DC/AC电源方案中的功率传输效率设定了新的标准,引领着电力电子领域的发展。
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英飞凌推出新型固态隔离器 交换速度更快,功耗降低高达70%
英飞凌科技股份公司在美国国际电力电子应用展览会(APEC)上推出全新固态隔离器产品系列。该系列可实现更快速、可靠的电路交换,并拥有光学固态继电器(SSR)所不具备的保护功能。这些隔离器采用无芯变压器技术,支持高20倍的能量传输的同时,还具备了电流和温度保护功能,实现更高的可靠性和更低的成本。
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英飞凌推出高密度功率模块降低AI数据中心成本
人工智能(AI)正推动全球数据生成量成倍增长,促使支持这一数据增长的芯片对能源的需求日益增加。英飞凌科技股份公司近日推出TDM2254xD系列双相功率模块,为AI数据中心提供更佳的功率密度、质量和总体成本(TCO)。TDM2254xD系列产品融合了强大的OptiMOSTM MOSFET技术创新与新型封装和专有磁性结构,通过稳健的机械设计提供业界领先的电气和热性能。它能提高数据中心的运行效率,在满足AI GPU(图形处理器单元)平台高功率需求的同时,显著降低总体拥有成本。
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媒体报道
英飞凌出售两家后端制造基地给日月光
半导体封测厂日月光投控近日宣布,收购晶片大厂英飞凌位于菲律宾和韩国的两座后段封测厂,扩大在车用和工业自动化应用的电源晶片模组封测与导线架封装,投资金额逾新台币21亿元,最快今年第2季底完成交易。
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英飞凌与本田签署谅解备忘录 开展汽车半导体领域的合作
近日,英飞凌和本田汽车签署谅解备忘录以建立战略合作。
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英飞凌与多家知名厂商合作 加码SiC与GaN技术
近期,英飞凌与安克创新、盛弘电气两大厂商达成合作。其中,英飞凌将为盛弘提供业内领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件,配合EiceDRIVER紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC,从而进一步提升储能变流器的效率。