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行业新闻
德州仪器计划大规模将GaN芯片生产由6英寸转换成8英寸
据韩媒报导,模拟芯片大厂德州仪器(TI)的一位高层表示,该公司正在将其多个晶圆厂生产的6英寸氮化镓(GaN)芯片,转移到8英寸晶圆厂来生产。
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媒体报道
EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET
全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET,与EPC的上一代产品相比,其功率密度提高了一倍。
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媒体报道
英国计划构建独立5G供应链 自主生产射频GaN器件
随着技术的不断进步,终端设备对半导体器件的性能、效率和尺寸的要求越来越高。尤其是随着5G即将到来,这进一步推动了以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料的快速发展。
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行业新闻
英飞凌与多家知名厂商合作 加码SiC与GaN技术
近期,英飞凌与安克创新、盛弘电气两大厂商达成合作。其中,英飞凌将为盛弘提供业内领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件,配合EiceDRIVER紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC,从而进一步提升储能变流器的效率。
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媒体报道
东部高科加大SiC、GaN研发
为了支持未来业务增长,韩国晶圆代工厂东部高科正在加大在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体领域的研发力度。最近的投资旨在提高其8英寸晶圆的制造能力。