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三星半导体今日宣布,其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产,比三星上一代产品提高约 50% 的位密度(bit density),通过通道孔蚀刻技术(channel hole etching)提高生产效率。
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自SK海力士官网获悉,4月24日,SK海力士宣布,为应对AI半导体需求的急剧增长,计划扩大AI基础设施核心组件HBM等下一代DRAM的生产能力。
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近日,铠侠宣布出样最新一代UFS 4.0闪存芯片,新产品提供256GB、512GB和1TB容量规格。
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据商务部官网消息,近日,商务部部长王文涛会见英飞凌科技公司首席执行官哈内贝克。双方就英飞凌在华发展等议题进行交流。
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英飞凌科技股份公司发布全新PSOC Edge微控制器(MCU)系列的详细信息,该系列产品的设计针对机器学习(ML)应用进行了优化。新推出的PSOC Edge MCU三个系列E81、E83 和 E84在性能、功能和内存选项方面具有可扩展性和兼容性。它们均配有全面的系统设计工具和软件,使开发人员能够快速将概念转化为产品,并将支持机器学习的全新物联网 (IoT)、消费和工业应用推向市场。
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根据韩媒报道,三星和AMD公司签署了价值4万亿韩元的HBM3E供货协议。报道称,这份合同中,AMD将采购三星的HBM,而作为交换,三星将采购AMD的AI加速卡,但是具体的换购数量目前尚不清楚。
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美国英特尔公司日前发布名为Hala Point的大型神经拟态系统,旨在支持类脑人工智能领域的前沿研究,解决人工智能在效率和可持续性等方面的挑战。
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由于申请量“很大”且项目资金有限,CHIPS 计划办公室(The CHIPS Program Office)将关闭对半导体工厂或晶圆厂的联邦资助机会,“直至另行通知”。
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TDK株式会社新近推出了爱普科斯 (EPCOS) B43659系列焊片式铝电解电容器。新系列元件是一款结构更紧凑的新一代通用型产品,工作电压为450 V(直流),具有更高的CV值,功能及适合应用和之前系列产品相同。
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据报道,荷兰芯片设备制造商阿斯麦公司已与荷兰埃因霍温市签署了一份意向书,计划在该市北部机场附近进行扩建,预计将能够容纳多达20000名新员工。此举可能终结此前有关 ASML 将部分业务迁至海外的猜测。