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近日,台积电在美国举办了“2024年台积电北美技术论坛”,披露其最新的制程技术、先进封装技术、以及三维集成电路(3D IC)技术,凭借此领先的半导体技术来驱动下一代人工智能(AI)的创新。
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美光科技宣布,全系列车规级内存和存储解决方案已通过高通技术公司 Snapdragon® Digital Chassis™ 平台的验证。
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日前,恩智浦半导体宣布其首个全线上实验室——人工智能创新实践平台云实验室正式上线运营。
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电子元器件是现代电子产品的基础组成部分,其品质和性能直接影响着整个电子产品的质量和性能。因此,在采购电子元器件时,需要注意一些重要的参数,以确保所采购的元器件符合产品的设计要求,并能够稳定可靠地工作。如果您对即将涉及的内容感兴趣,那么请继续阅读下文吧,希望能对您有所帮助。
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三星半导体今日宣布,其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产,比三星上一代产品提高约 50% 的位密度(bit density),通过通道孔蚀刻技术(channel hole etching)提高生产效率。
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自SK海力士官网获悉,4月24日,SK海力士宣布,为应对AI半导体需求的急剧增长,计划扩大AI基础设施核心组件HBM等下一代DRAM的生产能力。
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近日,铠侠宣布出样最新一代UFS 4.0闪存芯片,新产品提供256GB、512GB和1TB容量规格。
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据商务部官网消息,近日,商务部部长王文涛会见英飞凌科技公司首席执行官哈内贝克。双方就英飞凌在华发展等议题进行交流。
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英飞凌科技股份公司发布全新PSOC Edge微控制器(MCU)系列的详细信息,该系列产品的设计针对机器学习(ML)应用进行了优化。新推出的PSOC Edge MCU三个系列E81、E83 和 E84在性能、功能和内存选项方面具有可扩展性和兼容性。它们均配有全面的系统设计工具和软件,使开发人员能够快速将概念转化为产品,并将支持机器学习的全新物联网 (IoT)、消费和工业应用推向市场。
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根据韩媒报道,三星和AMD公司签署了价值4万亿韩元的HBM3E供货协议。报道称,这份合同中,AMD将采购三星的HBM,而作为交换,三星将采购AMD的AI加速卡,但是具体的换购数量目前尚不清楚。