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媒体报道美光西安封装和测试工厂扩建项目破土动工
美光宣布其位于西安的封装和测试新厂房已经开始正式动工。资料显示，美光在中国运营版图包括北京、上海、深圳与西安等地。2023年6月美光宣布在西安追加投资43亿元人民币，其中包括加建这座新厂房，引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，包括但不限于移动DRAM、NAND及SSD，从而拓展西安工厂现有的DRAM封装和测试能力。
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行业新闻美光HBM销售火爆 明年产能已被预订
美光科技CEO Sanjay Mehrotra周三在财报电话会议上表示，AI服务器需求正推动HBM、DDR5和数据中心SSD快速成长。其中，美光HBM产品有望在2024会计年度创造数亿美元营业额，HBM营收预料自2024会计年度第三季起为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。
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媒体报道低良率影响产量 美光在英伟达HBM3E资格测试中领先
目前英伟达为人工智能（AI）和高性能计算（HPC）应用销售的芯片比业内其他企业都要多，这些高性能计算卡需要大量HBM类芯片，如果想保持这种状态，就需要稳定的供应。为了更妥善且健全的供应链管理，同时为了保证下一代产品的供应，英伟达规划加入更多的供应商，去年末三星、SK海力士和美光都参与到英伟达下一代AI GPU的资格测试中。
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媒体报道美光推出紧凑封装型UFS 4.0移动解决方案
近日，存储大厂美光科技宣布已开始提供升级版UFS4.0样品，采用232层3D NAND技术，可提供256GB、512GB和1TB三种容量。
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行业新闻美光推出紧凑型UFS 助力智能手机增加电池容量
美光科技宣布开始送样增强版通用闪存（UFS）4.0移动解决方案，该方案具有突破性专有固件功能并采用紧凑型UFS 封装（9 x 13mm）。基于先进的232层3D NAND技术，美光UFS 4.0解决方案可实现1 TB容量，其高性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的使用体验。
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行业新闻美光宣布开始量产HBM3E高带宽内存
近日，美光科技宣布，已开始量产HBM3E，其24GB 8H HBM3E产品将供货给英伟达，并将应用于NVIDIA H200 Tensor Core GPU，该GPU将于2024年第二季度开始发货。之前英伟达的HBM由SK海力士独家供应，如今美光、三星都将加入。
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行业新闻美光、SK海力士2024年HBM产量已卖光
目前的HBM市场主要以SK海力士、三星和美光三家公司为主。 SK海力士副社长Kim Ki-tae日前表示，今年公司的HBM已经售罄，已开始为2025年做准备。虽然外部不稳定因素依然存在，但今年内存半导体行业已开始呈现上升趋势。 稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也对外透露，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。
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媒体报道美光预计2025年车均搭载16GB DRAM和204GB NAND
根据美光官方最近发布的车用存储大趋势白皮书，未来五年内，车用存储市场规模预计将达到100亿美元，复合增长率达28%。到2025年，每辆汽车将搭载16GB DRAM和204GB NAND，分别较2021年的水平提高3倍和4倍。
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行业新闻美光推出LPCAMM2内存模块 速率可达 9600MT/s
Micron Technology, Inc.近日宣布推出业界首款标准低功耗压缩附加内存模块（LPCAMM2），提供从16GB至64GB的容量选项，为PC提供更高性能、更低功耗、更紧凑的设计空间及模块化设计。
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行业新闻三星和美光计划涨价 DRAM价格或将上涨15%至20%
近日，三星电子和美光等主要内存制造商计划在2024年第一季度上调DRAM的价格，幅度预计在15%到20%之间。
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