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行业新闻铠侠计划2026年量产第10代NAND 采用低温蚀刻技术
报道称，铠侠计划于2026年量产第10代NAND，并决定采用低温蚀刻技术。该技术允许在更低温的环境下进行蚀刻，从而使存储器的存储单元间的存储通孔（memory hole）以更快的速度形成。
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媒体报道NAND Flash市场在2024年第一季度迎来增长
根据 TrendForce 集邦咨询研究显示，由于企业级（Enterprise）SSD在2024年二月开始大量应用于人工智能服务器，同时PC和智能手机制造商为了对抗价格上涨并持续增加库存，2024年第一季度NAND Flash营收环比增长了28.1%，达到了147.1亿美元。
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媒体报道三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。
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行业新闻消息称三星电子NAND工厂开工率达到90%
根据业内消息透露，近期三星电子的NAND工厂开工率已经增至90%。在存储行业衰退期间，三星曾一度降至60%的开工率。多位知情人士指出，整体工厂平均开工率已经达到90%，一些主要晶圆厂实际上已经实现了“全面开工”。
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媒体报道三星本季增产NAND闪存30% 年内产能规模设限
三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。不过，三星方面对进一步的增产仍然保持谨慎态度，希望避免影响到NAND Flash的价格涨势。三星在产能全开的情况下，NAND Flash闪存的生产线单季度晶圆投片量可超过200万片。
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媒体报道预估第二季NANDFlash合约价季涨13~18%
TrendForce表示，除了铠侠和西部数据自今年第一季起提升产能利用率外，其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低、减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。
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行业新闻消息称三星西安NAND厂开工率恢复至70%
韩媒称三星电子已将西安工厂的NAND闪存开工率至 70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地，月产能为 20 万片 300mm 晶圆，占三星整体 NAND 产量的 40%。
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媒体报道NAND Flash产业持续增长 2024年第一季预计将季增两成
据TrendForce集邦咨询研究显示，2023年第四季NANDFlash产业营收达114.9亿美元，季增24.5%。 主要受惠于终端需求因年终促销回温，加上零部件市场因追价而扩大订单动能，位元出货较去年同期旺盛；同时企业方面持续释出2024年需求表现优于2023年的看法，且启动策略备货带动。
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行业新闻DRAM/NAND合约价Q1预计涨幅18% 全年将继续上涨
据报道，DRAM产品合约价自2021年第四季开始下跌，连跌8个季度，至2023年第四季度上涨。NAND Flash合约价自2022年第三季度开始下跌，连跌4个季度，自2023年第三季度起涨。预计这两类存储芯片价格在2024年一季度大幅上涨18%左右，第二季度涨幅收敛。
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行业新闻NAND 芯片价格预计在短期内将上涨50%
NAND 芯片价格止跌回升后，目前报价仍与三星、铠侠、SK 海力士、美光等供应商达到损益两平点有一段差距。
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