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媒体报道消息称三星电子正扩大半导体封装联盟
据报道，三星电子预计今年将扩大其2.5D和3D MDI（多芯片集成）联盟，新增十名成员。业界认为，三星电子此举旨在试图缩小与台积电的技术差距。
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媒体报道三星电子推进eMRAM内存制程升级 8nm版本基本完成开发
三星电子代表在韩国“AI-PIM 研讨会”上表示，正按计划逐步推进eMRAM内存的制程升级，目前8nm eMRAM的技术开发已基本完成。作为一种新型内存，MRAM基于磁性原理，具有非易失性，不需要同DRAM内存一样不断刷新数据，更为节能高效；同时MRAM的写入速度又是NAND的1000倍，支持对写入速率要求更高的应用。
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行业新闻三星电子调整战略：未来存储业务重心转向企业领域
近期，媒体报道三星电子在最新财报电话会议中表示，未来存储业务的重心不再放在消费级PC和移动设备上，而将放在HBM、DDR5服务器内存以及企业级SSD等企业领域。
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行业新闻三星电子实施“双轨化”改造 加强HBM内存竞争力
根据韩媒 The Elec 的报道，三星电子内部已经对其HBM内存开发部门进行了“双轨化”改革，旨在提升其在HBM业务领域的竞争力。
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行业新闻三星电子与蔡司合作加强 聚焦EUV技术和半导体设备
三星电子正在深化与蔡司集团在下一代EUV和芯片技术方面的合作，蔡司集团是全球唯一的极紫外（EUV）光系统供应商ASML Holding NV的光学系统唯一供应商。 三星电子的执行董事长李在镕（Jay Y. Lee）近期在德国会见了蔡司总裁兼首席执行官卡尔·兰普雷希特（Karl Lamprecht）及其他公司高管。
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行业新闻消息称三星电子NAND工厂开工率达到90%
根据业内消息透露，近期三星电子的NAND工厂开工率已经增至90%。在存储行业衰退期间，三星曾一度降至60%的开工率。多位知情人士指出，整体工厂平均开工率已经达到90%，一些主要晶圆厂实际上已经实现了“全面开工”。
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媒体报道三星电子将扩大硅谷研发机构 专门设计AI芯片
三星电子计划扩大其位于美国硅谷的研发（R&D）机构，专注于人工智能（AI）芯片设计。在半导体行业以人工智能芯片为重心的重塑过程中，三星旨在加强其设计能力，以打破目前由美国诸如英伟达等大型科技公司主导的市场格局。
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媒体报道三星电子预计本月晚些时候量产第9代V-NAND闪存
据报道，三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。另外，业内消息人士表示，随着对高性能和大型存储设备的需求增长，三星电子还计划明年推出430层NAND芯片。
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媒体报道三星电子宣布加入AI-RAN联盟
三星电子公司近日表示，将作为创始成员加入AI-RAN联盟。三星电子将与英伟达、Arm、软银、爱立信、诺基亚、微软等巨头一起，成为在今年世界移动通信大会（MWC）上成立的AI-RAN联盟的创始成员。联盟目标是将人工智能和无线通信技术相结合，形成6G技术研发的生态系统。
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媒体报道三星电子在硅谷成立新团队 专注于研发AGI芯片
三星已在硅谷开设通用人工智能计算实验室（AGI Computering Lab），专注于开发通用人工智能（AGI）芯片。据悉，这支团队将由前谷歌研究员Woo Dong-hyuk领导，根据其个人领英页面，Dong Hyuk Woo是前谷歌开发人员，于去年11月转投三星。
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