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三星、SK海力士将停供DDR3 或致价格飙涨
据业内消息,全球领先的DRAM供应商三星和SK海力士正全力推进高带宽内存(HBM)和主流DDR5规格内存,预计从下半年开始将停止供应DDR3利基型DRAM。
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韩国计划投入超过10万亿韩元支持芯片产业
韩国财政部长崔相穆当地时间 12 日宣布,该国正在准备一项计划,提供超过 10 万亿韩元(前约 528 亿元人民币)的资金来加强该国的关键半导体产业,为芯片投资和研究一揽子支持计划做好准备。
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全球OLED显示器出货量预计今年再创新高 去年同比增长415%
据外媒报道,随着智能手机广泛采用,OLED面板的应用范围正在扩展至屏幕尺寸更大的产品,如平板电脑和笔记本电脑。这些产品的出货量也在不断增加,推动了全球OLED显示器的出货量大幅增长。据研究机构预测,经过去年同比增长415%后,今年全球OLED显示器的出货量预计将再次大幅增长。
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英飞凌推出新型MOTIX™电机栅极驱动器IC
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司针对要求严苛的24/48 V市场推出适用于无刷直流电机的MOTIX™ TLE9140EQW栅级驱动器IC。TLE9140专为拥有更高电压要求(从24 V到最高72 V)的汽车电机控制应用定制,此类应用需要更高的系统可靠性和更快的开关行为。
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罗德与施瓦茨最新推出频率高达40GHz的R&S SMB100B微波信号发生器
新推出的R&S SMB100B模拟微波信号发生器性能卓越,在中端级别高达40 GHz的模拟信号发生领域处于市场领先地位。R&S SMB100B操作简便、功能全面,是所有需要干净模拟信号或高输出功率(8 kHz 至 40 GHz)应用的首选。典型应用包括测试雷达接收机、半导体元件、上变频器、下变频器或放大器。高输出功率和低相位噪声使其成为阻塞测试中模拟干扰源的理想选择。
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三星电子实施“双轨化”改造 加强HBM内存竞争力
根据韩媒 The Elec 的报道,三星电子内部已经对其HBM内存开发部门进行了“双轨化”改革,旨在提升其在HBM业务领域的竞争力。
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SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案
2024年5月9日,SK海力士宣布,公司开发出用于端侧(On-Device)AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**(Zoned UFS)4.0”。 SK海力士表示:“ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品,其产品实现业界最高性能并专为端侧AI手机进行优化。”公司还强调,“通过此产品, 继HBM在内的超高性能DRAM后,也在NAND闪存领域公司将引领面向AI的存储器市场。”
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131亿美元,2023年中国大陆半导体材料收入逆势增长0.9%
近日,国际半导体行业协会SEMI发布最新报告显示,2023年全球半导体材料市场销售金额为667亿美元,较2022年的727亿美元下滑8.2%,全球半导体材料销售金额均下滑。
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内存和SSD价格再涨,涨幅最多20%
内存和SSD价格持续上涨,DRAM内存芯片、内存条、NAND闪存和SSD硬盘正处于加速上涨的新周期。根据集邦咨询的最新报告,他们大幅上调了二季度内存价格涨幅的预期。
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英飞凌推出首款通过安全认证的Rust生态系统
Rust编程语言凭借其独特的内存安全特性,已经成为汽车软件开发中C/C++的有效补充和潜在替代品。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司与HighTec EDV-Systeme等合作伙伴携手,进一步扩展了其AURIX™微控制器的Rust生态系统。