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媒体报道NAND Flash涨价 存储原厂铠侠扭亏为盈
原厂铠侠公布第四财季（2024年1-3月）财报，显示该季度营收较去年增加31%至3221亿日元，七个季度首次实现增长；净利润为103亿日元，六个季度以来首次实现盈利，去年同期为亏损1309亿日元。
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媒体报道三星电子预计本月晚些时候量产第9代V-NAND闪存
据报道，三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。另外，业内消息人士表示，随着对高性能和大型存储设备的需求增长，三星电子还计划明年推出430层NAND芯片。
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行业新闻西部数据宣布NAND Flash及机械硬盘全面涨价
西部数据4月8日首次确认机械硬盘（HDD）和固态硬盘（SSD）均出现供应短缺，并发出正式客户信函，通知NAND闪存和硬盘产品正在进行价格调整。西部数据表示，闪存和硬盘产品的需求均超出预期，导致供应紧张。本季度将继续调整闪存和硬盘产品的价格，部分调整将立即生效。
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媒体报道铠侠将在2031年推出1000层3D NAND闪存并重组SCM业务
近日，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。
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媒体报道三星暂停NAND闪存出货 Q4存储芯片合约价超预期
尽管近期促销期间大多数终端产品销售平平，但在三星、SK海力士和美光三大原厂大幅减产和控制产量的情况下，存储芯片现货价格仍然呈上涨趋势。其中，由于亏损情况更为严重，NAND存储芯片的涨幅更加明显。
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媒体报道SK海力士将使用子公司的KrF PR，用于238层NAND闪存
据报道，SK海力士在2020年以约22.2亿元人民币的价格收购了锦湖石油化学的电子材料业务部门。最近，据The Elec报道，SK海力士开发的厚氟化氪（KrF）光致抗蚀剂（PR）已经通过了该公司的质量检验。
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媒体报道三星预计明年初推出第九代NAND闪存芯片并开始量产
近日，三星电子存储业务主管李政培(Lee Jung-Bae)发表文章称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品，希望明年初可以实现量产。此外，该公司还正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。
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行业新闻美光推出7500系列SSD 采用232层3D TLC NAND闪存
近日，美光宣布推出适用于数据中心工作负载的7500 NVMe SSD，主要面向数据中心存储应用，包括了云服务器和企业服务器。是全球目前唯一一款搭载200+层NAND闪存的主流数据中心SSD。
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行业新闻市场需求正在缓解 韩国NAND闪存芯片出口额恢复增长
韩国NAND闪存出口额一年来首次出现增长，进一步证明半导体需求滑坡正在触底。韩国是全球最大的NAND闪存生产国，三星电子和SK海力士占据了全球NAND闪存市场的大部分份额，而日本晶圆和设备供应商将从半导体销售的复苏中受益。
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行业新闻三星减产!NAND Flash价格有望在第四季反弹
近日，三星（Samsung）为应对需求持续减弱，宣布9月起扩大减产幅度至50%，减产仍集中在128层以下制程为主，据该机构调查，其他供应商预计也将跟进扩大第四季减产幅度，目的加速库存去化速度，预估第四季NAND Flash均价有望因此持平或小幅上涨，涨幅预估约0~5%。
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