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Diodes 公司的小型微功率霍尔效应开关可兼容于低压芯片组
Diodes 公司 (Diodes) 推出三款全新霍尔效应开关:AH1899A/B/S,在低供电电压与极低静态电流下工作,可延长移动设备与便携设备的电池使用寿命。AH1899A/B/S 可用于检测便携式电子设备 (如:智能手机与平板电脑) 的盖子与外壳是否开启。也可以用于数码相机、游戏掌机设计中的接近检测以及一般非接触式开关。
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三星赢得英伟达AI芯片2.5D封装订单
据报道,三星电子成功拿下了英伟达的 2.5D 封装订单。消息人士透露,三星的先进封装 (AVP) 团队将为英伟达提供 Interposer(中间层)和 I-Cube,这是其自主研发的 2.5D 封装技术,高带宽内存 (HBM) 和 GPU 晶圆的生产将由其他公司负责。
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TDK 推出增强型嵌入式电机控制器,内存、功率和可靠性均有提升
TDK 株式会社(TSE:6762)进一步扩充 Micronas 嵌入式电机控制器系列 HVC 5x,完全集成电机控制器与 HVC-5222D 和 HVC-5422D,以驱动小型有刷(BDC)、无刷(BLDC)或步进电机。*与热门型号 HVC 5221D 相比,此系列已实现显著增强,驱动电流、SRAM 加倍,EEPROM 是原来的四倍,同时可保持引脚兼容。样品现可供客户评估。计划于 2025 年第一季度投产。
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台积电回应晶圆厂设备复原率超过八成
4月3日,中国台湾地区发生7.3级地震,为过去25年来最强且余震不断。作为半导体产业的全球重要基地,台湾拥有全球最大的芯片制造企业台积电、第四大制造商联电,以及力积电等一系列半导体巨头。这些重要工厂主要集中在新竹科学园区和台南科学园区等地。
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中国集成电路:产量同增16.5%,出口同增6.3%
近日,工信部运行监测协调局公布了2024年1—2月我国电子信息制造业运行情况。数据显示,1—2月,我国电子信息制造业生产大幅增长,出口持续改善。
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三星计划在2025年后率先进入3D DRAM内存时代
据报道,三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代。
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意法半导体推出新系列100V沟槽肖特基整流二极管
随着低开关损耗的宽禁带半导体等技术的广泛应用,设计人员开始提高功率转换器的工作频率,不断刷新功率密度。不过,当开关频率变得更高时,用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大,严重限制了转换能效的改进。
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TDK推出紧凑型门极驱动变压器
TDK株式会社扩展了爱普科斯 (EPCOS) InsuGate系列 (B78541A) SMT变压器产品组合,推出两款新型元件。新元件采用锰锌 (MnZn) 铁氧体磁芯,尺寸紧凑,支持高工作电压,工作频率为100 kHz至500 kHz,工作温度为-40°C至+150°C,非常适合电动汽车(经AEC-Q200认证并符合AQG标准关于振动的要求)和工业电子中的IGBT和MOSFET门极驱动应用。
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日本批准将向Rapidus提供高达5900亿日元补贴
近年来,半导体行业的发展日新月异,各大企业都在争相抢占先进工艺技术的制高点。日本半导体公司 Rapidus 计划 2027 年在日本本土开始大规模生产 2nm 芯片,获得了日本政府和多家大型企业支持,可以说是被寄予厚望。
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光电器件故障排除与维护指南
在现代科技的诸多领域中,光电器件因其独特且关键的功能特性而被广泛应用。在长期运行过程中,光电器件可能会出现各种故障问题,影响其性能及整个系统的正常运转。本文将就光电器件常见的故障类型、排除方法以及日常维护要点进行详细介绍。