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英特尔俄亥俄州新晶圆厂投运时间推迟至2027~2028年
据英特尔向美国俄亥俄州政府提交的难度报告,其位于该州的两座新晶圆厂的投运时间已推迟至2027~2028年。俄亥俄州一号项目的Fab1和Fab2两座工厂均计划于2026~2027年完工,约一年后正式投运。
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ASML交付第三代EUV设备用于制造2nm芯片
最近ASML(阿斯麦)交付了第三代极紫外(EUV)光刻工具,新设备型号为Twinscan NXE:3800E,配备了0.33数值孔径透镜。相比于之前的Twinscan NXE:3600D,性能有了进一步的提高,可以支持未来几年3nm及2nm芯片的制造。
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三星计划提高使用自家Exynos芯片以降低成本
三星计划自2024年开始增加在Galaxy设备中使用Exynos芯片的比例,这有助于降低采购成本。此外,三星还将投资提高Exynos芯片的竞争力,以解决用户对其性能和功耗效率的担忧。
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三星预计获美60亿美元芯片补贴
美国商务部拟向韩国三星电子提供超过60亿美元巨额补贴的消息经美媒披露后,在韩国业界引发了广泛讨论。各方认为,这一举措背后不仅反映出韩美两国间紧密的合作关系,更突显了三星电子在全球半导体领域中的关键战略地位。舆论指出,该决定将有力助推三星电子巩固其在美国市场的地位,并可能加剧本土芯片制造企业间的竞争态势。
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台积电将砸5000亿建六座先进封装厂
台积电将在嘉义科学园区先进封装厂新厂加大投资,园区将拨出六座新厂用地给台积电,比原本预期的四座多两座,总投资额逾5000亿台币,主要扩充CoWoS先进封装产能,相关环评、水电设施都已盘点、处理完成,预计4月上旬对外公布。
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塔塔集团携手力积电建厂 2026年底量产28纳米芯片
力积电和印度塔塔集团合作兴建的12英寸晶圆厂举行动土典礼。力积电董事长黄崇仁表示,该工厂将于2026年底量产28纳米半导体芯片。
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韩国2月ICT出口大增 存储芯片出口量翻倍
韩国科学技术信息通信部14日发布的初步核实数据显示,韩国2月信息通信技术(ICT)出口额为165.3亿美元,同比增长29.1%,连续两个月增幅超过20%。
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Marvell联手台积电打造2nm芯片生产平台
据 Marvell 美满电子官方新闻稿,美满电子正在扩大与台积电的合作,开发业界首款针对加速基础设施优化的 2nm 芯片生产平台。
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消息称三星将扩大采用索尼相机传感器
影像传感器是手机最重要零件之一,SONY是全球第一大影像传感器制造商,三星System LSI部门也生产ISOCELL品牌影像传感器,与SONY竞争居全球第二。三星自家Galaxy手机多用自家System LSI研发的图像传感器,但未来可能生变。
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2023Q4全球前十大晶圆代工厂营收304.9亿美元 环比增长7.9%
TrendForce集邦咨询发布报告,2023年第四季度全球前十大晶圆代工厂营收304.9亿美元,环比增长7.9%,主要受惠于智能手机零部件拉货动能延续,包含中低端Smartphone AP与周边PMIC,以及Apple新机出货旺季,带动A17主芯片、周边IC如OLED DDI、CIS、PMIC等零部件。其中,台积电(TSMC)3nm高价制程贡献营收比重大幅提升,推升台积电第四季全球市占率突破六成。