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行业新闻三星计划在2025年后率先进入3D DRAM内存时代
据报道，三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代。
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媒体报道市场需求强劲!三星计划将SSD价格最高上调25%
由于市场需求强劲，三星电子将把第二季度商用固态硬盘价格上调至多25%。全球科技公司大建数据中心，导致对数据中心所需存储设备的需求急剧增加。据悉，不仅使原本处于减产基调的企业用SSD生产正常化，还在讨论增产。
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媒体报道三星成立HBM提升团队 加速Mach-2 AI芯片开发
三星电子DS部门负责人庆桂显近日表示，三星内部正采取双轨AI半导体策略，同步提高在AI用存储芯片和AI算力芯片领域的竞争力。
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行业新闻三星显示加速Micro OLED生产 有望三年内实现量产
近日，三星显示执行董事 Jeong Seok-woo （郑锡宇）于3月28 日在首尔 K 酒店举行的“老韩国”会议上就微型 OLED 量产时机表示了这一看法。这一天，他做了题为“未来显示的AR/VR发展策略”的演讲。
标签: 三星 Micro OLED
发布时间: 2024年3月29日 14:35 阅读量: 603
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行业新闻三星正式在产品目录中列出GDDR7显存芯片
三星是将向英伟达、AMD等GPU厂商提供下一代GDDR7显存解决方案的三家内存制造商之一，另外两家公司包括SK海力士和美光，他们也宣布了新一代产品，并透露了新产品的性能，能够提供高达40 Gbps的引脚速度和高达64 Gb（8GB）的容量。
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媒体报道三星独家供货英伟达12层HBM3E内存
据媒体报道，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E，后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。在日前的GTC 2024中，黄仁勋曾在三星电子12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证（JENSEN APPROVED）"的签名。SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。
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媒体报道三星计划提高使用自家Exynos芯片以降低成本
三星计划自2024年开始增加在Galaxy设备中使用Exynos芯片的比例，这有助于降低采购成本。此外，三星还将投资提高Exynos芯片的竞争力，以解决用户对其性能和功耗效率的担忧。
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媒体报道三星预计获美60亿美元芯片补贴
美国商务部拟向韩国三星电子提供超过60亿美元巨额补贴的消息经美媒披露后，在韩国业界引发了广泛讨论。各方认为，这一举措背后不仅反映出韩美两国间紧密的合作关系，更突显了三星电子在全球半导体领域中的关键战略地位。舆论指出，该决定将有力助推三星电子巩固其在美国市场的地位，并可能加剧本土芯片制造企业间的竞争态势。
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行业新闻消息称三星西安NAND厂开工率恢复至70%
韩媒称三星电子已将西安工厂的NAND闪存开工率至 70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地，月产能为 20 万片 300mm 晶圆，占三星整体 NAND 产量的 40%。
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媒体报道消息称三星将扩大采用索尼相机传感器
影像传感器是手机最重要零件之一，SONY是全球第一大影像传感器制造商，三星System LSI部门也生产ISOCELL品牌影像传感器，与SONY竞争居全球第二。三星自家Galaxy手机多用自家System LSI研发的图像传感器，但未来可能生变。
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