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媒体报道三星计划2024年推3D AI芯片封装“SAINT”
随着半导体微缩制程接近物理极限，先进封装技术成为竞争焦点，台积电率先推出3Dfabric平台，三星计划推出“SAINT”先进3D芯片封装技术以迎头赶上。
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媒体报道消息称AMD下一代服务器芯片将由台积电和三星共同代工
近日，AMD计划采用三星电子的4纳米工艺和台积电的3纳米工艺生产下一代服务器芯片，代号为Prometheus。此前，AMD一直主要选择台积电作为其代工公司，但这次同时选择了三星和台积电作为代工厂商。这一决策被认为是为了将产品分为高端和入门级，其中高端产品由台积电生产，入门级产品则由三星生产。
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媒体报道三星和SK海力士Q3半导体库存仍处高位
三星、sk海力士的半导体库存在2023年第三季度也保持较高水平。根据三星季报，截至2023年第三季，其整体存货金额为55.2万亿韩元，较2022年底的52.1万亿韩元增加5.9%；其中半导体存货金额从2022年底的29万亿韩元，大幅跃升16.1%至33.7万亿韩元，比2021年末增加了2倍以上。
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媒体报道传三星Exynos 2400芯片将采用FOWLP封装工艺
根据韩媒EDaily报道，三星公司已经完成了扇出晶圆级封装（FOWLP）工艺的验证，并已经开始向客户交付产品，而首款采用该封装工艺的芯片，会是明年搭载在Galaxy S24 / S24+手机中的Exynos 2400芯片。
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行业新闻三星计划将NAND减产规模扩大40%~50%
经历漫长的下行周期之后，存储芯片市场价格止跌，部分型号存储芯片价格出现反弹。三星电子计划在今年第四季将NAND价格上调10~15%，预计明年上半年还会再成长10%至20%。这一举措预示着存储芯片市场的复苏，也反映出三星电子对市场需求的乐观预期。
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媒体报道三星发布2.1D 半导体封装技术 成本或降22%
三星为了加强和英特尔、台积电的竞争近日介绍了下一代（2.3D）半导体封装技术，可用于封装AI芯片等高性能半导体。据介绍，这种封装技术在不牺牲性能的情况下，可使成本降低22%。
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行业新闻三星、美光积极扩产HBM 紧跟AI大趋势
随着人工智能浪潮的兴起，市场对HBM技术的需求持续高涨，成为人们关注的焦点。全球市场研究公司集邦咨询预计，2023 年 HBM 需求将同比增长 58%，2024 年可能进一步增长约 30%。根据最新报告，三星和美光两家公司正在积极筹备扩大HBM DRAM产能。
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媒体报道三星正在与客户就2nm、1.4nm工艺合作进行洽谈
尽管三星电子在3纳米代工业务上比台积电更早量产，但由于接连失去了高通、NVIDIA等大客户，已经落后于台积电。
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媒体报道三星预计明年初推出第九代NAND闪存芯片并开始量产
近日，三星电子存储业务主管李政培(Lee Jung-Bae)发表文章称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品，希望明年初可以实现量产。此外，该公司还正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。
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