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媒体报道三星正试产第二代3纳米芯片 力争良率超过60%
消息称三星已开始制造第二代3纳米制程（SF3）试制品，并测试芯片性能和可靠性，目标是6个月力拼良率超过60%。这一动作表明，三星正全力以赴争夺客户，与台积电展开激烈的竞争，计划在今年上半年开始量产第二代3纳米环绕栅（GAA）架构制程。
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媒体报道三星、SK投资622万亿韩元 韩国将打造半导体产业集群
据报道，韩国计划要在首尔附近建设世界上最大的半导体产业集群，到2047年将投资总计622万亿韩元，建立16座芯片工厂。该集群将覆盖京畿道南部的多个工业园区，总面积达2100万平方米，目标是到2030年实现每月770万片晶圆的生产能力。
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媒体报道三星计划2030年实现芯片工厂全自动化
三星电子已开始开发“智能传感系统”，旨在提高产量并改变半导体工厂的运营方式。该系统主要用于实时监控和分析生产过程，目前可以自动处理等离子体均匀性。
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媒体报道三星晶圆代工计划Q1降价5%-15%
三星也加入了晶圆代工厂降价抢单大军。业内消息称三星代工已调整2024年第一季度定价，不仅提供了5%-15%的折扣，而且明确表示接受判断，根据订单量提供更优惠的价格。
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行业新闻三星和美光计划涨价 DRAM价格或将上涨15%至20%
近日，三星电子和美光等主要内存制造商计划在2024年第一季度上调DRAM的价格，幅度预计在15%到20%之间。
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行业新闻三星泰勒工厂量产推迟至2025年 已投170亿美元
据报道，三星电子已将其位于美国得克萨斯州泰勒的半导体工厂的量产时间推迟到了2025年。按照原计划，该工厂将在明年下半年实现量产。
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行业新闻三星联手红帽扩大CXL存储生态系统并取得重要进展
三星电子宣布与红帽（Red Hat）携手，三星首次在业内成功验证其CXL内存与红帽最新操作系统在用户环境中的互操作性，该进展将支持数据中心和企业客户利用CXL内存进行高性能计算，且无需对硬件进行重大调整。
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媒体报道三星开发智能传感器系统以提高半导体产能与良率
三星电子正在开发自己的“智能传感器系统”，用于对半导体工艺的控制和管理。这项新技术有望提高半导体良率、提高生产率。
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媒体报道三星计划在日本投资2.8亿美元建芯片封装研究设施
根据日本横滨市的一份公告，韩国三星电子将在五年内投资约400亿日元（2.8亿美元），在日本建立一个先进芯片封装研究机构。
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媒体报道三星与ASML合作推动EUV技术发展 瞄准2纳米制程节点
韩国三星日前与荷兰半导体设备商ASML签署了价值1万亿韩元（约7.55亿美元）的协议，两家公司将在韩国投资建造半导体芯片研究工厂，并将在该研究工厂开发新一代EUV半导体制造技术。该协议将推动EUV技术的发展，并助力三星在2nm制程节点上取得领先地位。
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