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日前,美国芯片法案正式通过立法,其中关系到520亿美元芯片制造及研究补贴,以及240亿美元投资及税务减免,总规模将可能达2,800亿美元。美系半导体厂商将是主要受惠者,英特尔更将拿下最多补贴份额。对此,有市场消息表示,在其他竞争对手目前在半导体制造技术都持续领先英特尔的情况下,美国将还是难改变境外代工生产的模式。
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近日,安森美位于美国新罕布什尔州的碳化硅(SiC)工厂落成。据了解,该基地将使安森美到2022年年底的SiC晶圆产能同比增加五倍。此外,此次扩张建厂能够使得安森美掌握更完整的SiC制造供应链,使其具备SiC粉末和石墨原料的采购,以及将封装好的SiC器件进行交付的能力。
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据国外媒体报道,知情人士称,韩国芯片制造商SK海力士计划在美国建设一家先进的芯片封装工厂,该工厂将于明年第一季度破土动工。
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据国外媒体报道,业内消息人士称,自今年第二季度以来,DRAM合约价格已下跌15%-25%,且没有停止下跌的迹象。此外,NAND闪存合约价格预计将在今年第三季度下跌10%以上。
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意法半导体的STEVAL-ASTRA1B多连接评估平台为资产跟踪系统设计人员开发功能完整的概念验证原型提供了一个完整的生态系统。该评估套件采用电池供电,外形尺寸紧凑小巧,还提供固件,以简化牲畜监控、车队管理、物流等目标应用的开发过程。
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2022年8月12日领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi),昨天美国时间举行了剪彩仪式,庆祝其位于新罕布什尔州哈德逊 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工厂的落成。
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如果根据电容有无正负极来区分,可以分为有极性的电容和无极性的电容,对于一些有极性的电容,如果使用时正负极搞错,通电后电容就会爆掉十分危险。极性电容在电路板上的封装都会通过特定的标识来区分,所以,拿到电路板后,根据封装和电容的外形尺寸很容易区分正负极。