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晶体振荡器，是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。本文介绍的晶体振荡器有如下4种：恒温晶体振荡器（OCXO）、温度补偿晶体振荡器(TCXO)、普通晶体振荡器(SPXO)、压控晶体振荡器(VCXO)。
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研究机构最新的数据显示，今年二季度全球DRAM的市场规模为255.9亿美元，环比增长6.5%，仍保持可观的增速。其中第二季营收增长的主因来自于部分DRAM供应商出货位元的增长。虽PC、mobile DRAM受通胀冲击大，需求开始走弱，但上半年server DRAM动能维持强劲，带动三大原厂出货季增皆达5~10%。
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韩国贸易部周四公布的数据显示，科技产品出口在6月增长6.8%后，7月份同比下降0.7%至193.4亿美元，且三星、海力士等公司生产的存储芯片出口锐减13.5%。
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日前，美国芯片法案正式通过立法，其中关系到520亿美元芯片制造及研究补贴，以及240亿美元投资及税务减免，总规模将可能达2,800亿美元。美系半导体厂商将是主要受惠者，英特尔更将拿下最多补贴份额。对此，有市场消息表示，在其他竞争对手目前在半导体制造技术都持续领先英特尔的情况下，美国将还是难改变境外代工生产的模式。
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近日，安森美位于美国新罕布什尔州的碳化硅(SiC)工厂落成。据了解，该基地将使安森美到2022年年底的SiC晶圆产能同比增加五倍。此外，此次扩张建厂能够使得安森美掌握更完整的SiC制造供应链，使其具备SiC粉末和石墨原料的采购，以及将封装好的SiC器件进行交付的能力。
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据国外媒体报道，知情人士称，韩国芯片制造商SK海力士计划在美国建设一家先进的芯片封装工厂，该工厂将于明年第一季度破土动工。
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据国外媒体报道，业内消息人士称，自今年第二季度以来，DRAM合约价格已下跌15%-25%，且没有停止下跌的迹象。此外，NAND闪存合约价格预计将在今年第三季度下跌10%以上。
