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媒体报道SK海力士计划2025Q1量产GDDR7显存
据报道，SK海力士在今年的COMPUTEX 2024上展出了GDDR7的样品，并表示计划2025年第一季度开始量产。相比于竞争对手三星和美光，SK海力士似乎是进入大规模生产阶段最晚的一家。
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行业新闻SK海力士计划在1c DRAM生产中采用新型Inpria MOR光刻胶
随着 DRAM 小型化的不断推进，SK 海力士、三星电子等公司正在致力于新材料的开发和应用。据悉，SK 海力士计划在第六代（1c 工艺，约 10 纳米）DRAM 的生产中采用 Inpria 公司开发的下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这将是 MOR 首次在 DRAM 量产工艺中应用。
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媒体报道SK海力士计划为HBM注入新功能
SK海力士正在开发一种新概念，即增加了计算和通信功能的下一代HBM。该战略旨在扩大与HBM市场后来者的差距，该市场的竞争正在通过差异化的技术和性能不断升温。
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行业新闻SK海力士计划在海外开HBM工厂
SK海力士母公司SK集团会长崔泰源表示，正在研究在日本和美国等国家建设HBM工厂的可能性。SK海力士正在提高HBM的产量，以满足AI热潮对高性能芯片激增的需求。
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媒体报道三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。据悉，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨了 17%，但面向闪存盘等便携存储设备的 128Gb（16Gx8）MLC 通用闪存的价格却按兵不动。
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行业新闻SK海力士再获HBM大单 客户存款大增
从SK海力士监管文件显示，2024年第一季的客户存款再次大幅增长。SK海力士指出，收到561亿韩元的预付款和2.7459兆韩元的客户负债（客户存款）。
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行业新闻SK海力士将为特斯拉生产电源管理(PMIC)芯片
报道称，SK海力士的代工子公司SK Key Foundry计划最早于7月在忠清北道清州工厂的8英寸晶圆厂生产安装在特斯拉电动汽车上的电源管理芯片（PMIC）。
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媒体报道SK海力士计划2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍
SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
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行业新闻三星、SK海力士将停供DDR3 或致价格飙涨
据业内消息，全球领先的DRAM供应商三星和SK海力士正全力推进高带宽内存（HBM）和主流DDR5规格内存，预计从下半年开始将停止供应DDR3利基型DRAM。
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行业新闻SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案
2024年5月9日，SK海力士宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。 SK海力士表示：“ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品，其产品实现业界最高性能并专为端侧AI手机进行优化。”公司还强调，“通过此产品， 继HBM在内的超高性能DRAM后，也在NAND闪存领域公司将引领面向AI的存储器市场。”
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