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行业新闻投资超120万亿韩元!SK海力士将兴建4座晶圆厂
SK海力士从明年3月开始将在韩国京畿道龙仁半导体集群兴建半导体工厂（fab），并计划在此基础上，到2046年投资超过120万亿韩元（约合6388.56亿元人民币），共建设4座晶圆厂。
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行业新闻SK海力士开始量产HBM3E内存 本月下旬向客户供货
SK海力士3月19日在一份声明中表示，公司已开始量产高带宽内存产品HBM3E，将从本月下旬起向客户供货。这是公司去年8月宣布开发完成HBM3E后，仅隔7个月取得的成果。
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媒体报道SK海力士投资超10亿美元开发先进封装
SK 海力士为了巩固 HBM 存储芯片市场上的领先地位，2024 年计划投资超过 10 亿美元，扩大在韩国的测试和封装能力。
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媒体报道三星和SK海力士考虑增产高价值DRAM
随着人工智能（AI）需求的持续增长，高带宽存储器（HBM）和第五代双倍数据速率同步动态随机存取内存（DDR5）的订单有望增加。韩国两大半导体巨头三星电子和SK海力士正密切关注这一市场变化，考虑提高高价值DRAM产品的产量。
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行业新闻SK海力士计划推出“差异化”的HBM产品
在HBM产品市场，SK海力士处在领先地位。为了保持和扩大其地位，SK海力士必须适应客户的需求，特别是在人工智能领域，为此，它正在考虑如何为大客户制造“差异化”的HBM产品。
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行业新闻美光、SK海力士2024年HBM产量已卖光
目前的HBM市场主要以SK海力士、三星和美光三家公司为主。 SK海力士副社长Kim Ki-tae日前表示，今年公司的HBM已经售罄，已开始为2025年做准备。虽然外部不稳定因素依然存在，但今年内存半导体行业已开始呈现上升趋势。 稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也对外透露，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。
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行业新闻消息称SK海力士将于3月开始量产HBM3E存储器
HBM是目前内存行业最热门的产品，三星电子、SK海力士、美光竞争激烈。据 Moneytoday，SK 海力士于 1 月中旬正式结束了 HBM3E 的开发工作，顺利完成了 Nvidia 历时半年的性能评估，并计划于 3 月开始大规模生产五代 HBM3E 高带宽内存产品，并在下个月向 Nvidia 供应首批产品。
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媒体报道芯片市场回暖 SK海力士Q4扭亏为盈
在AI浪潮推动下，HBM芯片需求井喷，拉动SK海力士走出亏损，同时也带领存储芯片行业复苏。根据SK海力士发布的2023年第四季度财务报告，其营收同步增长47.4%至11.3万亿韩元（约合84.5亿美元），营业利润达3460亿韩元（约合2.6亿美元），去年同期为亏损1.9万亿韩元（约合14.2亿美元）。这也是自2022年年末该公司出现巨亏后，首次扭亏为盈。
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行业新闻SK海力士计划将CAMM内存标准引入台式机领域
SK海力士透露，全新CAMM存储标准正计划向桌上型电脑进军。 CAMM是一种新型存储标准，相比传统DRAM模组更加小巧紧凑，并支援更大的容量。
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媒体报道SK海力士计划升级中国无锡工厂
SK海力士计划在2024年之前，完成对无锡C2工厂的改造，转换升级为第四代（1a）D-ram 工艺，该工艺达到10nm级别。
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