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媒体报道消息称三星、SK海力士预计2026年量产新一代HBM4
存储芯片行业需求复苏或将迎来周期拐点，AI应用的兴起或成催化剂，供需矛盾逐渐缓解。最新消息称三星和 SK 海力士正在推进名为混合键合（Hybrid Bonding）的封装工艺，突破 TCB 和 MR 的发热、封装高度等限制。
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媒体报道SK海力士DRAM Q2销售额大增 但仍落后于三星电子
据TrendForce研究，由于AI服务器需求的增加，HBM的出货量也随之增长。此外，客户端DDR5备货潮也推动了三大原厂的出货量增长。第二季度DRAM产业营收约为114.3亿美元，环比增长20.4％，结束了连续三个季度的下滑趋势。
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媒体报道库存处于高位 SK海力士、三星总额逼近50万亿韩元
据报道，随着消费电子产品需求下滑以及对存储芯片的需求减少，SK海力士和三星电子这两大存储芯片制造商相继削减了产量。其中，SK海力士去年10月份就已决定削减今年的投资，并逐步减少产量；而三星电子则是在营业利润大幅下滑后，从4月份开始削减存储芯片的产量。
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媒体报道SK海力士宣布LPDDR5T已完成验证 速度高达9.6Gbps
SK海力士表示，LPDDR5T于2023年1月开发，实现了9.6gb/秒（Gbps）的运行速度。今年2月SK海力士向联发科提供了样品，以验证其产品性能。
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媒体报道SK海力士发布321层NAND闪存样品 预计2025年上半年量产
SK海力士于当地时间8日，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的“2023闪存峰会”上，公布了321层1Tb TLC 4D NAND闪存开发的进展，并展示了现阶段开发的样品。作为业界首家公布300层以上NAND具体开发进展的公司，SK海力士宣布，将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。
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媒体报道韩国设3000亿韩元基金助力芯片产业，三星、SK海力士承诺注资
据报道，韩国正在积极推动芯片产业的发展，并计划设立一项新基金，投资规模达到3000亿韩元，以促进相关企业的发展。
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行业新闻SK海力士开始量产业界最高238层4D NAND闪存
SK海力士宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前，公司于去年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。
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媒体报道SK海力士第五代10纳米级DDR5 DRAM开发完成
SK海力士宣布其第五代10纳米工艺1bnm已经完成验证，将为下一代DDR5和HBM3E解决方案提供支持。SK海力士 1bnm工艺将为DDR5提供6.4 Gbps的速度，为HBM3E提供8 Gbps的速度。
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媒体报道存储芯片需求继续低迷 SK海力士Q1亏损176亿元
韩国 SK 海力士公司是全球第二大内存芯片制造商。近日，该公司公布了季度财务数据。由于全球经济放缓导致市场需求下降，加剧了芯片过剩情况，因此该公司今年第一季度的运营亏损创下历史最高记录。
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行业新闻SK海力士表示今年不会大幅削减半导体投资规模
据韩国每日经济新闻报道，SK海力士副董事长朴正浩（Park Jung-ho）在新闻发布会上表示，公司今年不会大幅削减其半导体投资规模。
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