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媒体报道
官宣!SK海力士将投资38.7亿美元在美建厂
韩国SK海力士公司宣布,已经与美国印第安纳州政府签署合作协议,将投资38.7亿美元在该州的西拉斐特建造一座先进的芯片封装工厂和人工智能(AI)产品研究中心。
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媒体报道
SK海力士成功研发出业界首个氖气回收技术
SK海力士宣布,与韩国特种气体公司TEMC合作开发出半导体行业首个氖气回收技术。氖气是稀有气体之一,也是半导体光刻工艺所必需的准分子激光气体的主要成分。用作激光光源时具有不发生化学分解或变化的特点。这意味着氖一旦使用,经过分离和提纯过程去除杂质后可以回收利用。
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行业新闻
SK海力士:今年HBM芯片占公司DRAM芯片销售比重预计达两位数
SK海力士CEO郭鲁正3月27日表示,预计用于AI芯片组的HBM芯片在公司DRAM芯片销售中所占比重将从去年的个位数上升至今年的两位数。
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SK海力士考虑在印第安纳州建厂 但尚未做出决定
据知情人士透露,韩国SK海力士公司计划投资约40亿美元,在印第安纳州的西拉斐特建造一座先进的芯片封装工厂,并计划于 2028 年投产。
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行业新闻
投资超120万亿韩元!SK海力士将兴建4座晶圆厂
SK海力士从明年3月开始将在韩国京畿道龙仁半导体集群兴建半导体工厂(fab),并计划在此基础上,到2046年投资超过120万亿韩元(约合6388.56亿元人民币),共建设4座晶圆厂。
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行业新闻
SK海力士开始量产HBM3E内存 本月下旬向客户供货
SK海力士3月19日在一份声明中表示,公司已开始量产高带宽内存产品HBM3E,将从本月下旬起向客户供货。这是公司去年8月宣布开发完成HBM3E后,仅隔7个月取得的成果。
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SK海力士投资超10亿美元开发先进封装
SK 海力士为了巩固 HBM 存储芯片市场上的领先地位,2024 年计划投资超过 10 亿美元,扩大在韩国的测试和封装能力。
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三星和SK海力士考虑增产高价值DRAM
随着人工智能(AI)需求的持续增长,高带宽存储器(HBM)和第五代双倍数据速率同步动态随机存取内存(DDR5)的订单有望增加。韩国两大半导体巨头三星电子和SK海力士正密切关注这一市场变化,考虑提高高价值DRAM产品的产量。
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行业新闻
SK海力士计划推出“差异化”的HBM产品
在HBM产品市场,SK海力士处在领先地位。为了保持和扩大其地位,SK海力士必须适应客户的需求,特别是在人工智能领域,为此,它正在考虑如何为大客户制造“差异化”的HBM产品。
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美光、SK海力士2024年HBM产量已卖光
目前的HBM市场主要以SK海力士、三星和美光三家公司为主。 SK海力士副社长Kim Ki-tae日前表示,今年公司的HBM已经售罄,已开始为2025年做准备。虽然外部不稳定因素依然存在,但今年内存半导体行业已开始呈现上升趋势。 稍早之前,美光科技CEO Sanjay Mehrotra也对外透露,美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。