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行业新闻
速度高达6400Mbps!SK海力士宣布开发出迄今最快DDR5 DRAM内存
近日,SK海力士宣布开发出业界首款32GBDDR5-6400MbpsPC用无缓冲双列直插式内存模块(UDIMM)和小外形双列直插式内存模块(SODIMM),并向客户提供样品。
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行业新闻
投资约15万亿韩元!SK海力士将在韩国清州开建M15X新工厂
据媒体报道,周二,韩国芯片制造商SK海力士宣布,计划从今年10月份开始在韩国忠北清州市建设新的存储芯片工厂M15X,该工厂预计于2025年初完工。
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媒体报道
SK海力士正开发基于238层NAND的UFS4.0闪存 计划明年量产
据外媒THELEC今日报道,半导体业界人士透露,SK海力士计划最早明年上半年量产采用238层NAND(V8)的最新UFS4.0闪存。UFS是应用国际半导体标准化机构JEDEC的内置存储器接口的闪存,这是为智能手机、平板电脑等移动家电而制定的新一代标准,与传统的MMC(多媒体卡)相比,数据处理速度和电源效率要高得多。
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媒体报道
韩国SK海力士拟在美国建芯片封装厂 预计2025年投产
据国外媒体报道,知情人士称,韩国芯片制造商SK海力士计划在美国建设一家先进的芯片封装工厂,该工厂将于明年第一季度破土动工。
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行业新闻
SK海力士成功研发238层闪存芯片 将于2023年上半年量产
世界第二大存储芯片制造商韩国SK海力士周三表示,已开发出其最先进的NAND闪存芯片,该芯片由238层存储单元组成,将用于个人电脑存储设备,以及智能手机和服务器。SK海力士称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片,数据传输速度相比上代产品提升50%,读取数据消耗的能量降低21%。此外,该公司准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。
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行业新闻
存储芯片价格Q3预计下滑超过5% 预计影响三星与SK海力士业绩
据媒体报道,在存储芯片方面实力强劲的韩国半导体厂商,目前的业务处境在恶化,存储芯片价格的快速下跌,将影响他们的盈利能力。
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媒体报道
SK海力士拟削减数万亿支出 扩张计划将重新考虑
据知情人士透露,全球第二大存储芯片制造商SK海力士考虑将2023年资本支出削减约四分之一至16万亿韩元(约合122亿美元),以应对电子产品需求慢于预期的局面。 知情人士称,SK海力士正基本按计划推进今年支出约21万亿韩元以建设DRAM和NAND产能。不过,由于智能手机、服务器等各个领域的芯片需求下降的不确定性,迫使该公司重新考虑明年的扩张计划。
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行业新闻
SK海力士将向英伟达供应业界首款HBM3 DRAM
SK 海力士刚刚宣布,其已开始量产业内性能领先的 HBM3 DRAM 存储器。去年 10 月,该公司率先发布了 HBM3 开发公告。七个月后,SK 海力士再次传达了巩固其在高端 DRAM 市场的领导地位的想法。