-
媒体报道
SK海力士投资超10亿美元开发先进封装
SK 海力士为了巩固 HBM 存储芯片市场上的领先地位,2024 年计划投资超过 10 亿美元,扩大在韩国的测试和封装能力。
-
媒体报道
台积电再度扩产以应对AI芯片需求
台积电不仅在海外积极扩大产能,同时也在中国台湾本土市场坚定持续投资。董事长刘德音已明确承诺对台湾地区的投资力度不减。根据当前市场信息,除了建设2纳米制程的工厂以及先进的封装设施之外,台积电还计划在台湾地区新建8至10座用于生产更先进1纳米制程芯片的工厂,以满足日益增长的市场需求。
-
媒体报道
高塔半导体回应工厂停工:仍会如期履行晶圆交付承诺
近日媒体报道称,在行业放缓的情况下,高塔半导体计划对其美国纽波特海滩市(Newport Beach)的大部分业务进行为期三周的停工,此举将使近700名员工休假。高塔半导体确认将于4月1日至7日关闭其大部分业务,并计划在7月1日至7日和10月7日至13日关闭更多业务。
-
媒体报道
NAND Flash产业持续增长 2024年第一季预计将季增两成
据TrendForce集邦咨询研究显示,2023年第四季NANDFlash产业营收达114.9亿美元,季增24.5%。 主要受惠于终端需求因年终促销回温,加上零部件市场因追价而扩大订单动能,位元出货较去年同期旺盛;同时企业方面持续释出2024年需求表现优于2023年的看法,且启动策略备货带动。
-
媒体报道
氮化镓成主流 德州仪器加速向8英寸过渡
德州仪器正在将GaN(氮化镓)生产工艺从6英寸向8英寸过渡,以提高产能、获得成本优势。
-
媒体报道
EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET
全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET,与EPC的上一代产品相比,其功率密度提高了一倍。
-
媒体报道
三星和SK海力士考虑增产高价值DRAM
随着人工智能(AI)需求的持续增长,高带宽存储器(HBM)和第五代双倍数据速率同步动态随机存取内存(DDR5)的订单有望增加。韩国两大半导体巨头三星电子和SK海力士正密切关注这一市场变化,考虑提高高价值DRAM产品的产量。
-
媒体报道
低良率影响产量 美光在英伟达HBM3E资格测试中领先
目前英伟达为人工智能(AI)和高性能计算(HPC)应用销售的芯片比业内其他企业都要多,这些高性能计算卡需要大量HBM类芯片,如果想保持这种状态,就需要稳定的供应。为了更妥善且健全的供应链管理,同时为了保证下一代产品的供应,英伟达规划加入更多的供应商,去年末三星、SK海力士和美光都参与到英伟达下一代AI GPU的资格测试中。
-
媒体报道
美光推出紧凑封装型UFS 4.0移动解决方案
近日,存储大厂美光科技宣布已开始提供升级版UFS4.0样品,采用232层3D NAND技术,可提供256GB、512GB和1TB三种容量。
-
媒体报道
英特尔成立全新独立FPGA公司—Altera
近日英特尔宣布成立全新独立运营的FPGA公司——Altera。在FPGA Vision线上研讨会期间,首席执行官Sandra Rivera和首席运营官Shannon Poulin进行了分享,展示其在超过550亿美元的市场中保持领先性的战略规划,强调将通过打造集成AI功能的FPGA等举措,进一步丰富公司的产品组合,同时亦表明将持续助力客户应对不断增加的挑战。会上,Altera也作为新公司的品牌正式对外公布。