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近日有消息称三星二代3nm工艺取得新进展，与之前的FinFET工艺相比，具有更好的性能和功耗效率，特别具有设计灵活性的优点。三星电子在去年第四季度经营业绩电话会议上表示：“三星第二代3nm GAA工艺将于2024年如期量产，多数移动芯片、HPC客户都表示关注。与之前的技术FinFET工艺相比，具有性能和功耗效率，特别具有设计灵活性的优点。”
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变压器损耗约占输配电电力损耗的40%，具有较大节能潜力。通常平面变压器有2个或2个以上大小相同的柱状磁芯构成主体部分，一个预置的储能电感将磁芯和滤波电感夹在中间，作为整流电源的两极和散热板。本文收集整理了一些资料，期望能对各位读者有比较大的参阅价值。
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薄膜电容和电解电容内部的电解液时间长了会变质、干涸；薄膜电容的电极也会发生化学反应慢慢变小。对于一些薄膜电容器在实际使用的时候，会出来严重的容量衰减问题，最终导致电容量不足，电路无法正常工作，薄膜电容器的容量衰减是什么原因导致的？今天就来给大家普及一些这方面的知识。
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晶圆代工厂联电和EDA企业Cadence共同宣布，采用Integrity™ 3D-IC平台的Cadence® 3D-IC参考工作流程已通过联电的芯片堆栈技术认证，将进一步缩短产品上市时间。
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美国半导体制造商Wolfspeed宣布计划将在德国萨尔州建造一座高度自动化、采用前沿技术的200mm晶圆制造工厂。据消息称，这座工厂预计斥资30亿美元，预计在获得欧盟委员会批准之后，工厂建设预计可于2023年上半年启动。
标签: 碳化硅 Wolfspeed / Cree 芯片
发布时间: 2023年2月2日 16:58 阅读量: 1369
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厚膜电阻主要是指采用厚膜工艺印刷而成的电阻。薄膜电阻稳定性的老化过程因实现不同电阻值所需的薄膜厚度而不同，因此在整个电阻范围内是可变的。为帮助大家深入了解，本文将对薄膜电阻和厚膜电阻的相关知识予以汇总。如果您对本文即将要涉及的内容感兴趣的话，那就继续往下阅读吧。
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由于收入和利润的急剧下降，英特尔将全面削减管理层薪酬，以节省资金投资于公司的转型计划。英特尔声明，为应对宏观经济不利因素，努力降低成本，对2023年员工薪酬和奖励计划进行了一些调整。
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薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，从两端重叠后，卷绕成圆筒状的构造之电容器。本文收集整理了一些资料，期望能对各位读者有比较大的参阅价值。
