-
TDK 株式会社(TSE：6762)进一步扩充 Micronas 嵌入式电机控制器系列 HVC 5x，完全集成电机控制器与 HVC-5222D 和 HVC-5422D，以驱动小型有刷(BDC)、无刷(BLDC)或步进电机。*与热门型号 HVC 5221D 相比，此系列已实现显著增强，驱动电流、SRAM 加倍，EEPROM 是原来的四倍，同时可保持引脚兼容。样品现可供客户评估。计划于 2025 年第一季度投产。
-
韩国SK海力士公司宣布，已经与美国印第安纳州政府签署合作协议，将投资38.7亿美元在该州的西拉斐特建造一座先进的芯片封装工厂和人工智能(AI)产品研究中心。
-
近日，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。
-
4月3日，中国台湾地区发生7.3级地震，为过去25年来最强且余震不断。作为半导体产业的全球重要基地，台湾拥有全球最大的芯片制造企业台积电、第四大制造商联电，以及力积电等一系列半导体巨头。这些重要工厂主要集中在新竹科学园区和台南科学园区等地。
-
近日，工信部运行监测协调局公布了2024年1—2月我国电子信息制造业运行情况。数据显示，1—2月，我国电子信息制造业生产大幅增长，出口持续改善。
-
英特尔在周二提交的一份文件中表示，该公司负责制造业务的新部门“英特尔代工”（Intel Foundry）在2023年的销售为189亿美元，与前一年的 274.9 亿美元相比下降了 31%。运营亏损从2022年的52亿美元扩大到70亿美元，预计亏损将在2024年达峰，将在“从现在到2030年底的中段”实现运营层面上的盈利。
-
-
据报道，三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代。
-
随着低开关损耗的宽禁带半导体等技术的广泛应用，设计人员开始提高功率转换器的工作频率，不断刷新功率密度。不过，当开关频率变得更高时，用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大，严重限制了转换能效的改进。
-
TDK株式会社扩展了爱普科斯 (EPCOS) InsuGate系列 (B78541A) SMT变压器产品组合，推出两款新型元件。新元件采用锰锌 (MnZn) 铁氧体磁芯，尺寸紧凑，支持高工作电压，工作频率为100 kHz至500 kHz，工作温度为-40°C至+150°C，非常适合电动汽车(经AEC-Q200认证并符合AQG标准关于振动的要求)和工业电子中的IGBT和MOSFET门极驱动应用。
购物指南
消费保障
关于我们
