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媒体报道三星S25系列芯片将由高通独家供应
据媒体报道，最新爆料显示，三星即将推出的Galaxy S25系列智能手机将完全采用高通处理器，原因是自家的Exynos 2500处理器因3nm工艺的良率和功耗表现不佳而无法供应。
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行业新闻三星公布芯片制造技术路线图
据报道，三星电子公司在其位于加州圣何塞的美国芯片总部举办的年度代工论坛上，公布了其芯片制造的技术路线图，意图通过一系列即将推出的技术进步来增强其在人工智能芯片代工市场的竞争力。尽管三星作为全球领先的内存芯片制造商地位稳固，但在晶圆代工领域，它一直面临着来自台积电等竞争对手的强劲挑战。
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媒体报道三星半导体全球分拨中心在苏州开业
据苏州工业园区官微，6月7日，三星半导体全球分拨中心在苏州工业园区正式乔迁开业。
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行业新闻三星1nm制程量产时间或提前至2026年
三星代工业务部门将于6月12日至13日在美国硅谷举办代工与SAFE论坛。届时，其将公布其最新的技术路线图，1nm量产计划将从2027年提前到2026年。
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媒体报道三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。
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行业新闻三星否认其HBM内存芯片未通过英伟达测试
之前有报道称，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达的测试，因存在发热和功耗问题而受到影响。
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行业新闻三星完成开发首款可穿戴机器人Bot Fit，计划Q3上市
据报道称，三星已经完成了 Bot Fit 的开发和量产，该公司计划在今年第三季度推出旗下首款可穿戴辅助机器人。 据悉，Bot Fit 旨在帮助行动不便的个人并增强身体活动。自去年年底以来，三星一直在向老年社区提供 Bot Fit 原型，并计划在年内进入 B2C 市场。
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媒体报道三星投资提升3纳米工艺以争夺英伟达订单
继HBM之后，三星电子2024年的首要任务就是在代工业务方面抢下GPU大厂英伟达(NVIDIA)的订单。尤其是，随着晶圆代工龙头台积电面临地震等风险，三星电子迫切寻求机会，为英伟达打造第二代3纳米制程的供应链。
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媒体报道三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。据悉，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨了 17%，但面向闪存盘等便携存储设备的 128Gb（16Gx8）MLC 通用闪存的价格却按兵不动。
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媒体报道消息称三星HBM3E芯片未通过英伟达验证
存储器大厂美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英伟达送样八层垂直堆叠24GB HBM3E，美光和SK海力士HBM3E于2023年初通过英伟达验证，并获订单，三星HBM3E却未通过验证。
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