-
媒体报道
三星将为特斯拉代工第五代自动驾驶芯片
三星将成为特斯拉第五代自动驾驶芯片(HW5.0)的主要供应商,并且该芯片将采用尖端的4nm工艺。
-
媒体报道
存储大厂三星目标年底NAND库存正常化
据韩媒援引业内人士消息称,三星已制定生产计划,目标年底NAND库存正常化,即6-8周水平。今年年初,三星NAND库存水位超过20周,最高一度飙升至28周,但最近已降至18周。据悉,三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%,目前公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND(V6),该产品库存较多。
-
媒体报道
库存处于高位 SK海力士、三星总额逼近50万亿韩元
据报道,随着消费电子产品需求下滑以及对存储芯片的需求减少,SK海力士和三星电子这两大存储芯片制造商相继削减了产量。其中,SK海力士去年10月份就已决定削减今年的投资,并逐步减少产量;而三星电子则是在营业利润大幅下滑后,从4月份开始削减存储芯片的产量。
-
媒体报道
三星DRAM市场份额下降至41.9% 创下九年新低
今年全球电子消费品需求下降,导致三星电子的芯片需求减少,尤其是公司在半导体领域的核心业务DRAM,其市场份额也创下九年来的新低。
-
媒体报道
三星将在2027年1.4nm工艺用上BSPDN背面供电技术
据业内人士透露,三星电子近期具体化了背面供电技术的商用时间表。三星电子代工部门首席技术官(CTO)Gitae Jeong在最近的一次论坛上表示,“我们计划在2027年将BSPDN应用到1.4nm工艺中。”
-
媒体报道
车用芯片赛道火热 台积电、三星积极布局
随着电动汽车和自动驾驶汽车需求的快速增长,市场对先进高性能半导体产品的需求也在激增。这种需求的增长促使半导体行业从传统成熟制程转向更先进的制程,使得车用电子在先进制程方面的竞争变得更加激烈。
-
媒体报道
三星将暂停平泽工厂的NAND Flash生产
因存储器市况低迷,三星电子将暂停韩国平泽园区第一工厂(P1)部分NAND Flash生产。该生产区主要负责生产128层堆叠的第6代V-NAND。据悉,该设备将停产至少一个月,但可能会延长至2023年下半年。
-
媒体报道
三星正在开发用于AR领域的LEDoS微显示器
三星旗下的Samsung Display日前证实,他们正在研发用于增强现实的LEDoS硅基LED显示技术,并有望在未来几年内带来下一代的AR头显。其中,三星的目标是令LEDoS具备OLEDoS的所有品质,同时减少其局限性。
-
媒体报道
消息称三星将于今年下半年开始批量生产HBM芯片
又一家存储巨头加速HBM布局,以满足AI服务器的需求增长,继Hanmi Semiconductor之后再次推动HBM市场提升。有消息称三星电子将于今年下半年开始批量生产高带宽内存(HBM)芯片,以满足持续增长的人工智能(AI)市场。
-
媒体报道
韩国设3000亿韩元基金助力芯片产业,三星、SK海力士承诺注资
据报道,韩国正在积极推动芯片产业的发展,并计划设立一项新基金,投资规模达到3000亿韩元,以促进相关企业的发展。