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媒体报道美国宣布三星、SK海力士已获无限期出口豁免
美国商务部工业与安全局(BIS)公布新规，更新对三星和SK海力士的一般授权，将两家公司在华工厂纳入“经验证最终用户”(VEUs)。被纳入该清单意味着三星和SK海力士此后无需额外获得许可，即可向其在华工厂提供设备。
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媒体报道三星计划于2025年推出新一代内存HBM4
三星电子日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。据韩媒，三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。
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行业新闻美国将延长三星和SK海力士对华出售芯片豁免权
据报道，美国预计将无限期延长韩国芯片制造商三星（Samsung）和SK海力士（SK Hynix）在华工厂进口美国芯片设备的豁免权。多名消息人士表示，美国最早将于本周发布相关公告。
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行业新闻三星发布全球首款PC专用LPCAMM内存
最近，三星电子发布文章，宣布成功研发出首款7.5Gbps低功耗压缩附加内存模组（LPCAMM）规格，目前已在英特尔平台上完成系统验证。这一突破性研发成果可能会对PC和笔记本电脑的DRAM市场产生影响，甚至改变数据中心DRAM市场的格局。
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行业新闻存储芯片需求低迷或导致三星和SK海力士Q3亏损
由于供需变化，芯片市场目前正处于下行周期，因此存储厂商已经开始减产以应对行业现状。尽管全球半导体产业已经出现了一些好转的迹象，但据相关媒体报道，存储芯片的需求仍然疲软，这可能会导致三星电子存储业务部门和SK海力士在第三季度继续亏损。
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媒体报道消息称三星下半年再度减产DDR4 或将推高价格
据媒体报道，业内人士预计三星将在下半年再次减产DRAM。今年以来，该公司减产的主要项目几乎都是DDR4，目标是在年底前将库存降至健康水平。
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媒体报道消息称三星、SK海力士预计2026年量产新一代HBM4
存储芯片行业需求复苏或将迎来周期拐点，AI应用的兴起或成催化剂，供需矛盾逐渐缓解。最新消息称三星和 SK 海力士正在推进名为混合键合（Hybrid Bonding）的封装工艺，突破 TCB 和 MR 的发热、封装高度等限制。
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行业新闻三星减产!NAND Flash价格有望在第四季反弹
近日，三星（Samsung）为应对需求持续减弱，宣布9月起扩大减产幅度至50%，减产仍集中在128层以下制程为主，据该机构调查，其他供应商预计也将跟进扩大第四季减产幅度，目的加速库存去化速度，预估第四季NAND Flash均价有望因此持平或小幅上涨，涨幅预估约0~5%。
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媒体报道三星升级NAND供应链以满足明年市场需求增长
为了增强其新一代NAND闪存的竞争力，三星电子将在2024年升级其NAND核心设备供应链。为了明年彻底改变NAND核心设备供应链，各大NAND生产基地都在积极进行设备运行测试。
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媒体报道三星将为特斯拉代工第五代自动驾驶芯片
三星将成为特斯拉第五代自动驾驶芯片（HW5.0）的主要供应商，并且该芯片将采用尖端的4nm工艺。
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