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媒体报道存储大厂三星目标年底NAND库存正常化
据韩媒援引业内人士消息称，三星已制定生产计划，目标年底NAND库存正常化，即6-8周水平。今年年初，三星NAND库存水位超过20周，最高一度飙升至28周，但最近已降至18周。据悉，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND（V6），该产品库存较多。
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媒体报道库存处于高位 SK海力士、三星总额逼近50万亿韩元
据报道，随着消费电子产品需求下滑以及对存储芯片的需求减少，SK海力士和三星电子这两大存储芯片制造商相继削减了产量。其中，SK海力士去年10月份就已决定削减今年的投资，并逐步减少产量；而三星电子则是在营业利润大幅下滑后，从4月份开始削减存储芯片的产量。
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媒体报道三星DRAM市场份额下降至41.9% 创下九年新低
今年全球电子消费品需求下降，导致三星电子的芯片需求减少，尤其是公司在半导体领域的核心业务DRAM，其市场份额也创下九年来的新低。
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媒体报道三星将在2027年1.4nm工艺用上BSPDN背面供电技术
据业内人士透露，三星电子近期具体化了背面供电技术的商用时间表。三星电子代工部门首席技术官（CTO）Gitae Jeong在最近的一次论坛上表示，“我们计划在2027年将BSPDN应用到1.4nm工艺中。”
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媒体报道车用芯片赛道火热 台积电、三星积极布局
随着电动汽车和自动驾驶汽车需求的快速增长，市场对先进高性能半导体产品的需求也在激增。这种需求的增长促使半导体行业从传统成熟制程转向更先进的制程，使得车用电子在先进制程方面的竞争变得更加激烈。
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媒体报道三星将暂停平泽工厂的NAND Flash生产
因存储器市况低迷，三星电子将暂停韩国平泽园区第一工厂（P1）部分NAND Flash生产。该生产区主要负责生产128层堆叠的第6代V-NAND。据悉，该设备将停产至少一个月，但可能会延长至2023年下半年。
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媒体报道三星正在开发用于AR领域的LEDoS微显示器
三星旗下的Samsung Display日前证实，他们正在研发用于增强现实的LEDoS硅基LED显示技术，并有望在未来几年内带来下一代的AR头显。其中，三星的目标是令LEDoS具备OLEDoS的所有品质，同时减少其局限性。
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媒体报道消息称三星将于今年下半年开始批量生产HBM芯片
又一家存储巨头加速HBM布局，以满足AI服务器的需求增长，继Hanmi Semiconductor之后再次推动HBM市场提升。有消息称三星电子将于今年下半年开始批量生产高带宽内存（HBM）芯片，以满足持续增长的人工智能（AI）市场。
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媒体报道韩国设3000亿韩元基金助力芯片产业，三星、SK海力士承诺注资
据报道，韩国正在积极推动芯片产业的发展，并计划设立一项新基金，投资规模达到3000亿韩元，以促进相关企业的发展。
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媒体报道三星耗费巨额打造半导体聚落 以吸引厂商投资
据报道，半导体巨头三星电子计划未来20年投资300兆韩元（约合人民币1.6万亿元），在韩国首尔附近打造新的半导体制造聚落。通过在附近建设设施，缩短与客户之间的距离，可以最大限度地减少因试错而导致的交货时间，从而潜在地提高开发效率。
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