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NAND Flash大厂铠侠计划年内IPO上市
半导体市况正在复苏,大厂铠侠计划重新启动IPO进程,预计最快今年内在东京证券交易所上市。受人工智能普及和存储器需求持续增加的推动,铠侠打算通过市场融资并积极进行投资。
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Microchip宣布收购Neuronix AI Labs
Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)宣布收购 Neuronix AI Labs,以进一步增强在现场可编程门阵列(FPGA)上部署高能效人工智能边缘解决方案的能力。Neuronix人工智能实验室提供神经网络稀疏性优化技术,可在保持高精度的同时,降低图像分类、目标检测和语义分割等任务的功耗、尺寸和计算量。
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AMD推出锐龙PRO 8040/8000系列AI处理器芯片
近日,美国芯片设计公司AMD推出了锐龙PRO 8040/8000系列AI处理器芯片,用于驱动AI PC,试图在与英伟达和英特尔的竞争中取得领先地位。
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三星获美国至多64亿美元建厂补贴将生产2nm芯片
近日,美国政府宣布将向三星电子提供至多价值 64 亿美元(当前约合 464.64 亿元人民币)的补贴,而三星电子将在得克萨斯州投资超过 400 亿美元,建设包括 2nm 晶圆厂在内的一系列半导体项目。
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英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS™ 7
英飞凌科技股份公司推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。
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英特尔拟推出中国特供版Gaudi3AI芯片
据悉,继此前正式公布新一代AI加速芯片 Gaudi 3 之后,英特尔拟另准备针对中国市场推出“特供版”Gaudi 3,包括名为HL-328的OAM相容夹层卡(Mezzanine Card )和名为HL-388的PCle加速卡两种硬件形态。
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美光新一代LPDDR5X:速率9.6Gbps,功耗降4%
美光公司近日宣布,其新一代 9.6 Gbps (9600MHz) LPDDR5X 内存现已向移动设备厂商出样,该内存相较上代产品可节省 4% 的功耗。
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英飞凌推出用于功率MOSFET的新型顶部冷却封装
英飞凌科技股份公司推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。
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SK海力士第6代10nm级DRAM计划于2024Q3量产
据业内人士透露,SK 海力士正在准备第六代 10nm 级别的 1cnm 工艺的产品,已经制定了对应的客户认证及生产计划,打算在 2024 年第三季度量产,这将领先于竞争对手三星。
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瑞萨重启甲府工厂 应对功率芯片需求激增
近日,为增加IGBT等功率半导体产品产能,日本半导体大厂瑞萨电子正式重启此前已经关闭的甲府工厂。