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据媒体报道，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E，后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。在日前的GTC 2024中，黄仁勋曾在三星电子12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证（JENSEN APPROVED）"的签名。SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。
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近日，根据市场消息来源，台湾半导体制造公司（TSMC）正在加快其2纳米（nm）制程技术的研发进度。据悉，该公司位于新竹宝山的Fab20 P1工厂计划于4月开始进行相关设备的安装工作，这是为了准备采用环绕式闸级（GAA）技术的量产工作。这一技术被认为是未来芯片制造的重要发展方向，因其能够进一步提高芯片的性能和能效。
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ASML供应商Newways周五表示，将在马来西亚巴生建造一座新工厂。工厂将于2024年第四季度投产，从而增强该公司在亚洲的产能。
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3月21日，有消息称位于韩国京畿道龙仁市的三星SDI大楼发生火灾。有市场分析认为火灾可能影响三星的存储芯片业务。3月22日，三星半导体相关负责人向记者表示，此次火灾与其半导体业务无关。
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SK海力士从明年3月开始将在韩国京畿道龙仁半导体集群兴建半导体工厂（fab），并计划在此基础上，到2046年投资超过120万亿韩元（约合6388.56亿元人民币），共建设4座晶圆厂。
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据韩媒报导，模拟芯片大厂德州仪器(TI)的一位高层表示，该公司正在将其多个晶圆厂生产的6英寸氮化镓(GaN)芯片，转移到8英寸晶圆厂来生产。
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Diodes 公司 (Diodes)发布 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器，在同级产品中实现了业界极高的电流密度，以低正向压降和热阻的特性，为体积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。此系列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占 0.84mm² 电路板空间的芯片级封装 (CSP)，适用于各种用途，可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管使用。
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半导体封测厂商日月光3月21日宣布，推出小芯片(Chiplet)新互联技术，以应对人工智能发展带来的多样化小芯片整合设计和先进封装。
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美国商务部20日宣布，美国政府与英特尔达成一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据美国《芯片与科学法案》向后者提供至多85亿美元直接资金和最高110亿美元贷款，支持后者在美国多州的半导体项目。声明称，预计英特尔未来5年将在美国投资超1000亿美元，包括在亚利桑那州和俄亥俄州大型工厂生产尖端半导体，以及俄勒冈州和新墨西哥州小型工厂的设备研发和先进封装项目，直接创造超1万个制造业就业机会和近2万个建筑业就业机会。
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美光科技CEO Sanjay Mehrotra周三在财报电话会议上表示，AI服务器需求正推动HBM、DDR5和数据中心SSD快速成长。其中，美光HBM产品有望在2024会计年度创造数亿美元营业额，HBM营收预料自2024会计年度第三季起为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。
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